Kennzeichnung des Defekt-3D Mit dem Expida DualBeam 1285 (FLUNKEREI SEM) - Lieferanten-Daten Durch FEI-Firma

Hintergrund

Das Expida DualBeam 1285 (FLUNKEREI/SEM) ist eine schnelle Kennzeichnungsanlage des Defektes 3D, die eine genaue Abbildung Ihres Prozesses liefert und führt zu erhöhte Regelung und verbesserten Ertrag.

SchlüsselNutzen

  • Schnelle Zeit-zudaten und Grundursacheanalyse von Ertragexkursionen von den geläufigen Prozessschritten: Ätzung, Metallabsetzung, Kopieren, CMP- oder Zwischenlagendielektrika
  • Schlüsselfertige Defektnavigation mit den Feilen zurückgeholt von den optischen und SEM-Befund- und -zusammenfassungshilfsmitteln
  • Überlegener „Recherche“ Modus für Defektnavigation auf unpatterned Wafers
  • Analysieren Sie die Tiefenstrukturen gemacht sichtbar durch die FLUNKEREI, die mit erhöhter Trägerchemie quer-unterteilt
  • „Scheiben- und Ansicht“ Automatisierungssoftware für hohe Präzision SEM-Quereinteilung
  • Hohe Probenaufbereitung des Durchsatzes TEM mit wahlweisein-situ heben Fähigkeiten unter Verwendung Nanolift™-Anlage FEIS heraus

Merkmale

Das Expida DualBeam 1285 (FLUNKEREI/SEM) setzt höchstentwickelte Elektron- und Ionenspalten FEI-Firma für nicht angepasste Defektanalyse, hohe Probenaufbereitung des Durchsatzes TEM und wahlweiseEDS-Spektralanalyse ein.

Sirion™-Rasterelektronenmikroskop- (SEM)Spalte

Das Sirion™-Rasterelektronenmikroskopspalte FEI-Firma (SEM) ist neue für Niederspannung Operation-unter 1 KV-ohne das Opfern von Leistung an den höheren Spannungen optimiert worden. Mit höherer eckiger Intensität und eine feiner gesteuerte Spotgröße, die Recherchemodusfähigkeiten der Spaltenangebote überlegenen auf blank Wafers für Defektnavigation und bessere Leistungsdarstellung auf Aufladungsmaterialien wie niedrig--K Dielektrika und Kupfer.

Sidewinder™ Fokussierte IonenTräger- (FIB)Spalte

Der Sidewinder™ fokussierten Ionenträger- (FIB)verbesserte Trägerdas profil Spalte und die höhere eckige Intensität entbindet fast 80%, das in die gleiche Spotgröße als andere Spalten aktueller ist. Das Ergebnis ist schnelleres Mahlen und TEM-Probenaufbereitung und konsequente Leistung während des gesamten Spannungsbereichs.

Diese SEM-Darstellung der hohen Auflösung, ergänzt durch die mahlende FLUNKEREI, lässt Sie unterhalb der Oberfläche nachforschen, um begrabene Defekte, Prozessanomalien und Einheitsversagen aufzudecken, die zum herkömmlichen Wafer SEMs unsichtbar sind.

Mehrfache TEM-Proben

Wahlweiseautomatisierungssoftware aktiviert unbeaufsichtigte Vorbereitung von mehrfachen TEM-Probenmaterialien. Sie kann konfiguriert werden, um Proben auf Standard-TEM-Gitter oder für in-situextraktion vorzubereiten; Proben sicherstellend, werden schneller und genau verglichen mit herkömmlichen Methoden aufbereitet. Die wahlweiseder Nanolift™-Schleuse- und Transportvorrichtung Anlage kann diese Proben von der Anlagenkammer löschen, ohne den Wafer, die anbietende entscheidende Flexibilität und die schnellen Zeit-zudaten für kritische Proben zu löschen.

Quelle: FEI-Firma

Zu mehr Information über diese Quelle besuchen Sie bitte FEI-Firma

Date Added: Apr 15, 2005 | Updated: Jun 11, 2013

Last Update: 13. June 2013 01:25

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