2D Photonische Optische Kammer - Aktuelle Forschung in Halbleiter-SättigungsAbsorber-Spiegel (SESAM)

Themen Umfaßt

Studieren Halbleiter-von SättigungsAbsorber-Spiegeln (SESAMs) Unter Verwendung Quantums-Punkte und von Verwendungsgebieten für SESAMs

Die Prozesse für die Herstellung des Kurze und Lange Wellenlängen-Halbleiters SättigungsAbsorber-Spiegel (SESAMs) Unter Verwendung der Gallium-Basierten Materialien

Gebäude Halbleiter-SättigungsAbsorber-Spiegel (SESAMs) in Laser-Anlagen, zum des Modus-Sperrung Zu Erzielen

Studieren Halbleiter-von SättigungsAbsorber-Spiegeln (SESAMs) Unter Verwendung Quantums-Punkte und von Verwendungsgebieten für SESAMs

Die Prozesse für die Herstellung des Kurze und Lange Wellenlängen-Halbleiters SättigungsAbsorber-Spiegel (SESAMs) Unter Verwendung der Gallium-Basierten Materialien

Unser Fokus ist auf SESAMs, das um ungefähr 400 funktioniert - 430 nm und µm Wellenlängenbereich 1 - 1,55. Wir wachsen GaN und in Verbindung stehende Materialien unter Verwendung der Metall-organisch-Chemikalie-Dampfabsetzung (MOCVD), um kurzwelliges (herum 410 nm) SESAMs, unter Verwendung der GaInN-Quantumsvertiefungen zu machen. Wir auch studieren GaInAsN-Materialien und fabrizieren GaInAsN-Quantumsvertiefung SESAMs für lange Wellenlänge (1 - µm 1,55), unter Verwendung der expitaxy Kristallwachstums (MBE)methode des molekularen Trägers. SESAMs unter Verwendung der GaInAs-Quantumspunkte wird auch erforscht.

Gebäude Halbleiter-SättigungsAbsorber-Spiegel (SESAMs) in Laser-Anlagen, zum des Modus-Sperrung Zu Erzielen

Wir optimieren die Wachstumszustände, studieren die Materialeigenschaften durch verschiedene Kennzeichnungstechniken, konstruieren die Einheitszellen und die Prüfung mit verschiedenen Auslegungen für die Zellen. Nachdem die Einheitsfälschungen komplett sind, werden die Einheiten in Laser-Anlagen aufgebaut, um das Modus-Sperrung zu erzielen, zum von Picosekunde zu den femto-zweiten ultra-kurzen optischen Impulsen zu produzieren.

Quelle: NUS Nanoscience und Nanotechnologie-Initiative, Nationale Universität Singapur

Zu mehr Information über diese Quelle besuchen Sie bitte das NUS Nanoscience und Nanotechnologie-Initiative.

Date Added: May 26, 2005 | Updated: Jun 11, 2013

Last Update: 13. June 2013 01:25

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