2.o Cavidad Óptica Fotónica - Investigación Actual en los Espejos Saturables del Amortiguador del Semiconductor (SESAM)

Temas Revestidos

Estudiar los Espejos Saturables del Amortiguador del Semiconductor (SESAMs) Usando los Puntos de Quantum y las Áreas de Aplicación para SESAMs

Los Procesos para Hacer el Semiconductor de la Longitud De Onda Corta y Larga Espejos Saturables del Amortiguador (SESAMs) Usando los Materiales Galio-Basados

Espejos Saturables del Amortiguador del Semiconductor del Edificio (SESAMs) en los Sistemas del Laser Para Lograr Modo-Bloquear

Estudiar los Espejos Saturables del Amortiguador del Semiconductor (SESAMs) Usando los Puntos de Quantum y las Áreas de Aplicación para SESAMs

Los Procesos para Hacer el Semiconductor de la Longitud De Onda Corta y Larga Espejos Saturables del Amortiguador (SESAMs) Usando los Materiales Galio-Basados

Nuestro enfoque estará en SESAMs operatorio aproximadamente 400 - 430 nanómetro y el rango 1 - 1,55 de longitud de onda del µm. Creceremos GaN y los materiales relacionados usando la metal-orgánico-substancia-vapor-deposición (MOCVD) para hacer la longitud de onda corta (alrededor 410 nanómetro) SESAMs, usando receptores de papel del quantum de GaInN. También estudiaremos los materiales de GaInAsN y fabricaremos el receptor de papel SESAMs del quantum de GaInAsN para la longitud de onda larga (1 - el µm 1,55), usando el método expitaxy del incremento (MBE) cristalino del haz molecular. SESAMs usando puntos del quantum de GaInAs también será investigado.

Espejos Saturables del Amortiguador del Semiconductor del Edificio (SESAMs) en los Sistemas del Laser Para Lograr Modo-Bloquear

Optimizaremos las condiciones del incremento, estudiaremos las propiedades materiales por diversas técnicas de la caracterización, diseñaremos las estructuras del dispositivo y la prueba con diversos diseños para las estructuras. Después De Que las fabricaciones del dispositivo sean completas, los dispositivos serán incorporados a sistemas del laser para lograr modo-bloquear, para producir picosegundo a los femto-segundos pulsos ópticos ultracortos.

Fuente: NUS Nanoscience e Iniciativa de la Nanotecnología, Universidad Nacional Singapur

Para más información sobre esta fuente visite por favor el NUS Nanoscience y la Iniciativa de la Nanotecnología.

Date Added: May 26, 2005 | Updated: Jun 11, 2013

Last Update: 13. June 2013 01:48

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