使用扫描电容显微镜的 Nanocharacterization (SCM)

包括的事宜

背景

浏览的电容显微学如何 (SCM)运作

使用扫描研究电容的显微学金属氧化物 (MOS)半导体技术

背景

空间分辨率少于 10 毫微米确定作为描出准确和定量二维的掺杂物的一个需求由半导体的 (ITRS) 国际技术模式。 因为浏览的电容显微学 (SCM)可能可能地实现此目标, SCM 开发成掺杂物描出的一个重要技术子测微表半导体结构。

浏览的电容显微学如何 (SCM)运作

SCM 技术在金属氧化物半导体结构的高频率回应基础上 (MOS),被形成在这个 SCM 探测、范例氧化物和半导体之间。 在探测下的半导体掺质浓度描绘为在电容, dC 上的变化,导致被一偏压更改, dV,被应用在这个探测和范例之间。 塑造技术的倒数可以用于从 SCM 评定提取掺质浓度信息。

使用扫描研究电容的显微学金属氧化物 (MOS)半导体技术

在执行实验 SCM 工作,我们找到该生产在这个范例的一种相当好的质量叠加的氧化物,对 SCM 评定的成功是重要在定量掺质浓度提取的。 此工作其间,我们向显示 SCM 技术在 MOS 技术可以用于作为一局部 nanoprobe 确定氧化物层的质量,不用需要形成 SCM 评定的金属或门金属化,因为导电性探测技巧发挥作用象 MOS 结构的栅电极。 SCM 研究工作的有些方面被执行与 Y.T. Yeow 教授合作从昆士兰大学的,澳大利亚。 除 SCM 以外,我们也调查 nanostructures 的描述特性的其他种扫描探测技术,例如静电力显微学和传导基本强制显微学。

来源: NUS Nanoscience 和纳米技术主动性,国家大学新加坡 (NUS)。

关于此来源的更多信息请参观 NUS Nanoscience 和纳米技术主动性

Date Added: May 26, 2005 | Updated: Jun 11, 2013

Last Update: 13. June 2013 01:13

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this article?

Leave your feedback
Submit