使用掃描電容顯微鏡的 Nanocharacterization (SCM)

包括的事宜

背景

瀏覽的電容顯微學如何 (SCM)運作

使用掃描研究電容的顯微學金屬氧化物 (MOS)半導體技術

背景

空間分辨率少於 10 毫微米確定作為描出準確和定量二維的摻雜物的一個需求由半導體的 (ITRS) 國際技術模式。 因為瀏覽的電容顯微學 (SCM)可能可能地實現此目標, SCM 開發成摻雜物描出的一個重要技術子測微表半導體結構。

瀏覽的電容顯微學如何 (SCM)運作

SCM 技術在金屬氧化物半導體結構的高頻率回應基礎上 (MOS),被形成在這個 SCM 探測、範例氧化物和半導體之間。 在探測下的半導體摻質濃度描繪為在電容, dC 上的變化,導致被一偏壓更改, dV,被應用在這個探測和範例之間。 塑造技術的倒數可以用於從 SCM 評定提取摻質濃度信息。

使用掃描研究電容的顯微學金屬氧化物 (MOS)半導體技術

在執行實驗 SCM 工作,我們找到該生產在這個範例的一種相當好的質量疊加的氧化物,對 SCM 評定的成功是重要在定量摻質濃度提取的。 此工作其間,我們向顯示 SCM 技術在 MOS 技術可以用於作為一局部 nanoprobe 確定氧化物層的質量,不用需要形成 SCM 評定的金屬或門金屬化,因為導電性探測技巧發揮作用像 MOS 結構的柵電極。 SCM 研究工作的有些方面被執行與 Y.T. Yeow 教授合作從昆士蘭大學的,澳大利亞。 除 SCM 以外,我們也調查 nanostructures 的描述特性的其他種掃描探測技術,例如靜電力顯微學和傳導基本強制顯微學。

來源: NUS Nanoscience 和納米技術主動性,國家大學新加坡 (NUS)。

關於此來源的更多信息请請參觀 NUS Nanoscience 和納米技術主動性

Date Added: May 26, 2005 | Updated: Jun 11, 2013

Last Update: 13. June 2013 01:16

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