Deposición Atómica de la Capa para Nano y la Macro-Electrónica (ALD) para Nanoelectronics - Ventajas, Servicios y Recursos Ofrecidos por el CPI

Temas Revestidos

Antecedentes
Deposición Atómica de la Capa para Nano y Macro-Electrónica (ALD) y Sus Ventajas
Ventajas de la Deposición Atómica de la Capa para Nano y la Macro-Electrónica (ALD) sobre Productos Inalámbricos del Transistor Convencional del Silicio
Otras Aplicaciones para las Aleaciones Epitaxiales de SiGe
Deposición Atómica de la Capa para los Recursos Nanos y de la Macro-Electrónica (ALD) Disponibles en el CPI

Antecedentes

Microchipes más rápidos y más eficientes el Producir siguen siendo un reto constante. La Deposición Atómica de la Capa para el proceso Nano y de la Macro-Electrónica (ALD) ha sido reconocida por el Mapa Itinerario Internacional de la Tecnología para los Semiconductores (ITRS) como una de las innovaciones de la base para realizar esta meta a largo plazo. En colaboración con la Universidad de Newcastle sobre Tyne, el CPI está trayendo al Norte Al este de Inglaterra este proceso de fabricación dominante para producir las obleas de silicio y los microsistemas y establecerá un nuevo recinto limpio diseñado específicamente para el R&D en la Deposición Atómica avanzada de la Capa para los materiales Nanos y de la Macro-Electrónica (ALD). Un rango del Silicio - la Deposición Atómica de la Capa del Germanio para los servicios Nanos y de la Macro-Electrónica (ALD) del R&D estará disponible durante mediados de 2007.

Deposición Atómica de la Capa para Nano y Macro-Electrónica (ALD) y Sus Ventajas

La Deposición Atómica de la Capa para Nano y la Macro-Electrónica (ALD) es la deposición del material del semiconductor sobre una oblea de silicio para formar una película fina que adquiera la misma estructura cristalina que el fulminante. Es las propiedades eléctricas superiores de las películas epitaxiales que mejoran el funcionamiento del transistor. 

Ventajas de la Deposición Atómica de la Capa para Nano y la Macro-Electrónica (ALD) sobre Productos Inalámbricos del Transistor Convencional del Silicio

Controlando la composición y el cedazo materiales esfuércese en diversas capas epitaxiales, en la escala de los nanómetros, él llega a ser posible crear propiedades eléctricas y ópticas nuevas en el semiconductor. Una de las aplicaciones comerciales más notables es el uso de aleaciones epitaxiales del Silicio (Si) y del Germanio (Ge) en el transistor bipolar de la heterounión, que proporciona ya a funcionamiento mejorado sobre productos inalámbricos del transistor convencional del Si.

Otras Aplicaciones para las Aleaciones de ALD SiGe

Otras aplicaciones emergentes de las aleaciones de ALD SiGe integrarán los dispositivos del photonics en los fulminantes del Si tales como guías de ondas, las conexiones ópticas y los detectores o los emisores de la luz, y en la investigación sobre las capas esforzar-Si para los ultra-pequeños dispositivos de Semiconductor de Óxido Metálico (CMOS) Complementario para la generación siguiente de microchipes.

Deposición Atómica de la Capa para los Recursos Nanos y de la Macro-Electrónica (ALD) Disponibles en el CPI

El CPI ha atraído a dos científicos dominantes de la investigación de QinetiQ, Malvern - el Dr. David Robbins y el Dr. Yee Leong. Entre ellos traen durante 40 años de experiencia de la Deposición Atómica de la Capa para el R&D Nano y de la Macro-Electrónica (ALD) y del dispositivo a la región. El CPI está volviendo a poner actualmente la Deposición Atómica de la Capa para el equipo Nano y de la Macro-Electrónica (ALD) de QinetiQ al Este Del Norte en un recinto limpio especialmente diseñado en la Escuela de Eléctrico, de Electrónico y la Ingeniería Informática en la Universidad de Newcastle sobre Tyne.

Se anticipa que la investigación colaborativa entre el CPI y la Universidad de Newcastle sobre Tyne sobre el material de ALD para los dispositivos nanoelectronic comenzará durante 2006, con el R&D abastece venir en línea durante 2007. 

Fuente: CPI

Para más información sobre esta fuente visite por favor el CPI.

Date Added: Nov 28, 2005 | Updated: Jun 11, 2013

Last Update: 13. June 2013 07:17

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