Nanoelectronics - 利点、 CPI 提供されるサービスおよび機能の Nano 及びマクロ電子工学 (ALD) のための原子層の沈殿

カバーされるトピック

背景
Nano のための原子層の沈殿及びマクロ電子工学 (ALD) および利点
慣習的なケイ素のトランジスター無線製品上の Nano 及びマクロ電子工学 (ALD) のための原子層の沈殿の利点
SiGe のエピタキシアル合金のための他のアプリケーション
CPI で使用できる Nano 及びマクロ電子工学 (ALD) 機能のための原子層の沈殿

背景

作成のより速く、より効率的なマイクロチップは一定した挑戦に残ります。 Nano 及びマクロ電子工学 (ALD) プロセスのための原子層の沈殿は半導体 (ITRS) のための国際的な技術の道路地図によってコア革新の 1 つとしてこの目的を長期で実現するために認識されました。 タインにニューキャッスルの大学と共同して、 CPI はイギリスの東の北にシリコンの薄片およびミクロシステムを作り出すためのこの主製造工程を持って来て、とりわけ Nano 及びマクロ電子工学 (ALD) 材料のための高度の原子層の沈殿の R & D のために設計されている新しいクリーンルームを確立します。 ケイ素の範囲 - ゲルマニウムの Nano 及びマクロ電子工学 (ALD) R & D サービスのための原子層の沈殿は中間の 2007 年の間に使用できるようになります。

Nano のための原子層の沈殿及びマクロ電子工学 (ALD) および利点

Nano 及びマクロ電子工学 (ALD) のための原子層の沈殿はウエファーと同じ結晶構造で取る薄膜を形作るシリコンの薄片に半導体材料の沈殿です。 それはトランジスターのパフォーマンスを改善するエピタキシアルフィルムの優秀な電気特性です。 

慣習的なケイ素のトランジスター無線製品上の Nano 及びマクロ電子工学 (ALD) のための原子層の沈殿の利点

物質的な構成および格子の制御によって、ナノメーターのスケールで、異なったエピタキシアル層でそれなります半導体で新しい電気および光学的性質を作成すること可能にこして下さい。 最も著しい商用アプリケーションの 1 つは既に慣習的な Si のトランジスター無線製品上の (Si)改善されたパフォーマンスを (Ge)提供するヘテロ接合の両極トランジスターのケイ素そしてゲルマニウムのエピタキシアル合金の使用です。

ALD SiGe の合金のための他のアプリケーション

ALD SiGe の合金の他の出現の使用は導波管のような Si のウエファーの photonics 装置を統合します、マイクロチップの次世代の超小さい補足の金属酸化膜半導体装置のための緊張 Si 層の研究の軽い (CMOS)探知器かエミッター、および相互接続し、光学。

CPI で使用できる Nano 及びマクロ電子工学 (ALD) 機能のための原子層の沈殿

CPI は QinetiQ、先生およびデイヴィッド Robbins Yee Leong 先生 - Malvern からの 2 人の主研究の科学者を引き付けました。 その間で彼らは Nano 及びマクロ電子工学 (ALD) および装置 R & D のための原子層の沈殿の経験 40 年のに領域に持って来ます。 CPI はタインにニューキャッスルの大学で電気の、電子およびコンピューター工学の学校の特別な目的のために建てられたクリーンルームに現在 QinetiQ からの北の東に Nano 及びマクロ電子工学 (ALD) 装置のための原子層の沈殿を移しています。

nanoelectronic 装置のための ALD 材料のタインにニューキャッスルの CPI と大学間の共同の研究が 2006 年の間に始まることが R & D と、整備しますオンラインで 2007 年の間に来ることを予想されます。 

ソース: CPI

このソースのより多くの情報のために CPI を訪問して下さい。

Date Added: Nov 28, 2005 | Updated: Jun 11, 2013

Last Update: 13. June 2013 06:46

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