Het Atoomdie Deposito van de Laag voor Nano & macro-Elektronika (ALD) voor Nanoelectronics - Voordelen, Diensten en Faciliteiten door CPI worden de Aangeboden

Besproken Onderwerpen

Achtergrond
Het Atoom Deposito van de Laag voor Nano & macro-Elektronika (ALD) en Zijn Voordelen
Voordelen van het AtoomDeposito van de Laag voor Nano & macro-Elektronika (ALD) over de Conventionele Draadloze Producten van de Transistor van het Silicium
Andere Toepassingen voor Epitaxial Legeringen SiGe
Het Atoom Deposito van de Laag voor Nano Faciliteiten & van de macro-Elektronika (ALD) Beschikbaar bij CPI

Achtergrond

Het Produceren van snellere en efficiëntere microchips blijft een constante uitdaging. Het AtoomDeposito van de Laag voor Nano proces & van de macro-Elektronika (ALD is) gezien door de Internationale Technologie Roadmap voor Halfgeleiders (ITRS) als één van de kerninnovaties om dit doel op lange termijn te realiseren. In samenwerking met de Universiteit van Newcastle op de Tyne, brengt CPI aan Ten noordoosten van Engeland dit zeer belangrijke productieproces om siliciumwafeltjes en microsystems te veroorzaken en zal nieuwe die cleanroom vestigen specifiek voor R&D bij het geavanceerde AtoomDeposito van de Laag voor Nano materialen & van de macro-Elektronika (ALD) wordt ontworpen. Een waaier van Silicium - Deposito van de Laag van het Germanium zal het Atoom voor Nano diensten & van de macro-Elektronika (ALD) R&D beschikbaar in medio 2007 worden.

Het Atoom Deposito van de Laag voor Nano & macro-Elektronika (ALD) en Zijn Voordelen

Het Atoom Deposito van de Laag voor Nano & macro-Elektronika (ALD) is het deposito van halfgeleidermateriaal op een siliciumwafeltje om een dunne film te vormen die de zelfde kristalstructuur zoals het wafeltje vergt. Het is de superieure elektrische eigenschappen van de epitaxial films die de prestaties van de transistor verbeteren. 

Voordelen van het AtoomDeposito van de Laag voor Nano & macro-Elektronika (ALD) over de Conventionele Draadloze Producten van de Transistor van het Silicium

Door de materiële samenstelling en roosterspanning in verschillende epitaxial lagen, bij de nanometreschaal te controleren, wordt het mogelijk om nieuwe elektrische en optische eigenschappen in de halfgeleider tot stand te brengen. Één van de opmerkelijkste commerciële toepassingen is het gebruik van epitaxial legeringen van Silicium (Si) en Germanium (Ge) in de hetero-junction bipolaire transistor, die reeds betere prestaties over conventionele de transistor draadloze producten van Si verstrekt.

Andere Toepassingen voor Legeringen ALD SiGe

Ander nieuw gebruik van legeringen ALD zal SiGe photonicsapparaten op de wafeltjes van Si zoals golfgeleiders, optische verbindingen en lichte detectors of zenders, en in onderzoek naar lagen spannen-Si voor de ultra-kleine Bijkomende apparaten van de Halfgeleider van het Metaaloxide (CMOS) voor de volgende generatie van microchips integreren.

Het Atoom Deposito van de Laag voor Nano Faciliteiten & van de macro-Elektronika (ALD) Beschikbaar bij CPI

CPI heeft twee zeer belangrijke wetenschappelijk onderzoekers van QinetiQ, Malvern - Dr. David Robbins en Dr. Yee Leong aangetrokken. Tussen hen brengen zij meer dan 40 jaar ervarings van het AtoomDeposito van de Laag voor Nano & macro-Elektronika (ALD) en apparaat R&D aan het gebied. CPI weldra vestigt het AtoomDeposito van de Laag voor Nano & apparatuur van de macro-Elektronika (ALD) van QinetiQ aan het Noordoosten opnieuw in speciaal gebouwde cleanroom in de School van de Elektro, Elektronische en Techniek van de Computer bij de Universiteit van Newcastle op de Tyne.

Men voorziet dat het samenwerkingsonderzoek tussen CPI en de Universiteit van Newcastle op de Tyne op materiaal ALD voor nanoelectronic apparaten in 2006 zal beginnen, met de diensten die van R&D online in 2007 komen. 

Bron: CPI

Voor meer informatie over deze bron te bezoeken gelieve CPI.

Date Added: Nov 28, 2005 | Updated: Jun 11, 2013

Last Update: 13. June 2013 06:26

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this article?

Leave your feedback
Submit