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Depósito Atômico da Camada para Nano & a Macro-Eletrônica (ALD) para Nanoelectronics - Vantagens, Serviços e Facilidades Oferecidos pela CPI

Assuntos Cobertos

Fundo
Depósito Atômico da Camada para Nano & Macro-Eletrônica (ALD) e Suas Vantagens
Vantagens do Depósito Atômico da Camada para Nano & a Macro-Eletrônica (ALD) sobre Produtos Sem Fio do Transistor Convencional do Silicone
Outros Pedidos para Ligas Epitaxial de SiGe
Depósito Atômico da Camada para as Facilidades Nano & da Macro-Eletrônica (ALD) Disponíveis na CPI

Fundo

Uns microchip mais rápidos e mais eficientes da Produção permanecem um desafio constante. O Depósito Atômico da Camada para o processo Nano & da Macro-Eletrônica (ALD) foi reconhecido pelo Mapa Rodoviário Internacional da Tecnologia para os Semicondutores (ITRS) como uma das inovações do núcleo para realizar a longo prazo este objetivo. Em colaboração com a Universidade de Newcastle em cima de Tyne, a CPI está trazendo ao Norte Ao leste de Inglaterra este processo de manufactura chave para produzir bolachas de silicone e microsistemas e estabelecerá uma sala de limpeza nova projetada especificamente para o R&D em Depósito Atômico avançado da Camada para materiais Nano & da Macro-Eletrônica (ALD). Uma escala do Silicone - o Depósito Atômico da Camada do Germânio para serviços Nano & da Macro-Eletrônica (ALD) do R&D tornar-se-á disponível durante 2007 meados de.

Depósito Atômico da Camada para Nano & Macro-Eletrônica (ALD) e Suas Vantagens

O Depósito Atômico da Camada para Nano & a Macro-Eletrônica (ALD) é o depósito do material do semicondutor em uma bolacha de silicone para formar um filme fino que tome na mesma estrutura de cristal que a bolacha. É as propriedades elétricas superiores dos filmes epitaxial que melhoram o desempenho do transistor. 

Vantagens do Depósito Atômico da Camada para Nano & a Macro-Eletrônica (ALD) sobre Produtos Sem Fio do Transistor Convencional do Silicone

Controlando a composição e a estrutura materiais estique em camadas epitaxial diferentes, na escala dos nanômetros, ele torna-se possível para criar propriedades elétricas e ópticas novas no semicondutor. Uma das aplicações comerciais as mais notáveis é o uso de ligas epitaxial do Silicone (Si) e do Germânio (Ge) no transistor bipolar da heterojunção, que já fornece o desempenho melhorado sobre produtos sem fio do transistor convencional do Si.

Outros Pedidos para Ligas de ALD SiGe

Outros usos emergentes de ligas de ALD SiGe integrarão dispositivos do photonics em bolachas do Si tais como os medidores de ondas, as interconexões ópticas e os detectores ou os emissores da luz, e na pesquisa sobre camadas do esticar-Si para dispositivos de Semicondutor Complementares ultra-pequenos (CMOS) do Metal-Óxido para a próxima geração de microchip.

Depósito Atômico da Camada para as Facilidades Nano & da Macro-Eletrônica (ALD) Disponíveis na CPI

A CPI atraiu dois cientistas chaves da pesquisa de QinetiQ, Malvern - Dr. David Robbins e Dr. Yee Leong. Entre eles trazem sobre 40 anos de experiência do Depósito Atômico da Camada para o R&D Nano & da Macro-Eletrônica (ALD) e do dispositivo à região. A CPI relocating presentemente o Depósito Atômico da Camada para o equipamento Nano & da Macro-Eletrônica (ALD) de QinetiQ ao Leste Norte em uma sala de limpeza construída finalidade na Escola de Elétrico, de Eletrônico e a Engenharia Informática na Universidade de Newcastle em cima de Tyne.

Antecipa-se que a pesquisa colaboradora entre a CPI e a Universidade de Newcastle em cima de Tyne sobre o material de ALD para dispositivos nanoelectronic começará durante 2006, com R&D presta serviços de manutenção à vinda em linha durante 2007. 

Source: CPI

Para obter mais informações sobre desta fonte visite por favor a CPI.

Date Added: Nov 28, 2005 | Updated: Jun 11, 2013

Last Update: 13. June 2013 07:08

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