纳诺 & 宏指令电子的 (ALD) 基本层证言 Nanoelectronics 的 - CPI 和设施提供的好处、服务

包括的事宜

背景
纳诺的基本层证言 & 宏指令电子 (ALD) 和其好处
基本层证言的好处纳诺 & 宏指令电子的 (ALD) 在常规硅晶体管无线产品
对外延 SiGe 合金的其他申请
纳诺 & 宏指令电子 (ALD) 设施的基本层证言可用在 CPI

背景

生产更加快速和更加高效的微芯片保持一个恒定的挑战。 纳诺 & 宏指令电子 (ALD) 进程的基本层证言由半导体的 (ITRS) 国际技术模式认可作为其中一核心创新从长远来看认识到此目标。 与新堡合作大学在泰恩河的, CPI 给在英国东部的北部带来导致的硅片和微系统此关键制造过程,并且设立为在先进的基本层证言的 R&D 特别地设计的新的清洁的房间纳诺 & 宏指令电子 (ALD) 材料的。 硅的范围 - 纳诺 & 宏指令电子 (ALD) R&D 服务的锗基本层证言将变得可用在中 2007年期间。

纳诺的基本层证言 & 宏指令电子 (ALD) 和其好处

纳诺 & 宏指令电子的 (ALD) 基本层证言是半导体材料的证言在形成承担晶体结构和这个薄酥饼一样的薄膜的硅片上的。 它是改进晶体管的性能外延影片的优越电子属性。 

基本层证言的好处纳诺 & 宏指令电子的 (ALD) 在常规硅晶体管无线产品

通过控制物质构成和格子请劳损用不同的外延层,在毫微米缩放比例,它变得可能创建新颖的电子和光学性能在这个半导体。 其中一个最值得注意的商务应用是使用硅和锗外延 (Si)合金 (Ge)在异质结双极晶体管,已经提供被改进的性能在常规 Si 晶体管无线产品。

对 ALD SiGe 合金的其他申请

对 ALD SiGe 合金的其他涌现的用途将集成在 Si 薄酥饼的 photonics 设备例如波导,光学互联和轻的探测器或放射器,和在研究对紧张 Si 层超小的互补金属氧化物半导体 (CMOS)设备的微芯片的下一代的。

纳诺 & 宏指令电子 (ALD) 设施的基本层证言可用在 CPI

CPI 吸引了从 QinetiQ, Malvern - 大卫 Robbins 博士和 Yee Leong 博士的二位关键研究科学家。 在他们之间他们在 40 年期间带来基本层证言的经验纳诺 & 宏指令电子 (ALD) 和设备 R&D 的给这个区域。 CPI 目前调迁纳诺 & 宏指令电子 (ALD) 设备的基本层证言从 QinetiQ 到北部东部到为特定目的建造的清洁的房间在电子,电子和计算机工程学校在新堡大学在泰恩河。

期望在 2006年期间,在 CPI 和新堡之间大学的合作研究在泰恩河的对 nanoelectronic 设备的 ALD 材料将开始,与 R&D 为来在线在 2007年期间服务。 

来源: CPI

关于此来源的更多信息请参观 CPI

Date Added: Nov 28, 2005 | Updated: Jun 11, 2013

Last Update: 13. June 2013 06:17

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