| 最初にスキャンのトンネルを掘る顕微鏡検査にアクセサリとして導入されて (STM)、原子力の顕微鏡検査は (AFM)広く学術および産業研究で使用される高度およびほとんどの貴重なスキャンのプローブの技術になりました。 AFM の優秀な機能 - 表面の高解像の視覚化 - はアプリケーションのほとんどを定義します。 一方では、 AFM の顕微鏡は個々の分子のイメージ投射およびナノメータースケールの目的の処理のために用いられます。 一方では、それらは AFM が表面荒さの測定と DVD および CD パターンのような技術的に重要な表面の構造の形/プロフィールの量的な検査のために、使用されるいくつかの企業の品質管理を広く加えられます。 ここ十年間、柔らかい問題を使用している多くの研究者は (生物的目的およびポリマー) この方法の重要性を認識しました。 個々の高分子、アセンブリ、および大規模な形態小さいナノメータースケール機能は AFM の画像で容易に認識することができます。 さらに、 AFM のプローブの剛さがポリマー材料の剛さと対等であるという事実は異なった機械特性とのサンプル位置を区別することを可能にします。 このように、異質ポリマー材料のさまざまなコンポーネントは画像で識別することができます。 多くの年のために、 AFM が付いているポリマーサンプルの検査は包囲された条件でそして液体の下で行われました。 これらの調査は異なった温度に最近拡張されてしまいました。 こうすれば、 AFM は熱転移によって誘導される構造変化の in-situ モニタリングと膨れ、他の効果によって引き起こされる構造の変形の視覚化のために使用することができます。 このアプリケーションノートはポリマーに複数の小説 AFM のアプリケーションを示します。 AFM の実験の最適化 他の顕微鏡の技術と比較されて、 AFM は幼年時代にまだあります。 柔らかい材料の調査の AFM の機能は、特に器械使用の進行中の開発および研究者の増加する実践経験と、絶えず拡大しています。 最近の器械の開発はより精密なアクチュエーターおよびより敏感な探知器のデザイン、新しい操作モードおよび専門にされたプローブを含んでいます。 また全面的な顕微鏡のデザインおよび、熱ドリフトを下げることのそれ以上の改善のための特に部屋があります。 実用的な AFM のアプリケーションでは、それは叩くモードの映像技術が接触モードの技術に望ましいこと確立しています。 イメージ投射必要性によって、実験条件は異質ポリマーシステムの異なったコンポーネントの表面機能の高リゾリューションおよび穏やかな側面図を描くことまたは高対照の視覚化ができるように調節されるべきです (ポリマーはのブロック共重合体、ポリマー合成物混じります)。 叩くモードでは、先端サンプル力の相互作用のレベルは自由振動のプローブ (A0) の振幅およびセット・ポイント振幅 (非対称多重処理システム) の変更によって変わりましたり、また別の剛さと使用によって厳密に調べます。 A. の近くの小さい A そして A を使用して 0.3 N/m) 低く例えば、低力イメージ投射 (軽い叩くこと) は柔らかさの適用によって厳密に調べます0達成されます (sp剛さ。0 これらの条件は柔らかい材料の非破壊的な、高解像イメージ投射のために好ましいです。 ライト叩くことのよい規準は相互作用のプローブの段階が自由振動の段階に近いイメージ投射です。 A、増加する A をと堅いプローブを使用することによって下げることsp達成することができる0高い先端サンプル力をの操作は異質材料の個々のコンポーネントの合成イメージ投射のために最適です。 多くの場合、個々のコンポーネントは段階の画像の別の対照によって区別されます。 ゴムのようなコンポーネントが付いている多成分材料の合成イメージ投射のために、最も顕著な段階の対照は通常堅い叩く条件で達成されます (A0= 80-100nm、 Asp= 40-50nm の ~40 N/m の剛さのプローブ)。 ゴムのような最上層のポリマーサンプルの懸命に叩くことで、先端はサンプルを弱め、それらに突き通りますこうして表面下の構造を厳密に調べる。 先端の浸透はゴム製サンプルのイメージ投射が 100nm より高い 5nm 小さい A および A と0行われるとき何百spものナノメーターに達することができます。 ポリマー構造の高解像イメージ投射 現在、 AFM の最終的な解像度の質問はまだ開いた 1 です。 始め以来、接触モードで得られる AFM の画像は有機性および無機化合物の表面の結晶学の格子を明らかにしましたが、隔離された分子スケールきず (本当の分子解像度) を示してなかったです。 UHV の振動性 AFM のモードの使用はいくつかの結晶の表面の本当の原子解像度のイメージ投射を可能にし、副オングストロームイメージ投射は達成されました。 最近まで、空気の叩くモードの本当の分子解像度は問題となりました。 低い熱ドリフトが付いている新しく超鋭いプローブそして AFM の器械の使用はこれを可能にさせます。 polydiacetylene (PDA) の水晶の調査で得られた本当の分子解像度のモードイメージ投射を叩く例は図 1. で示されます。 このポリマーにスケッチによって示される化学構造があります。 水晶の表面 (BC 平らの) は主要なパラメータの長方形のセルで詰まるチェーン側面のグループのターミナル分子セグメントによって形作られます、: b = 0.491nm および c = 1.410nm。 PDA の水晶ショーのこの画像 BC 表面の結晶学の構造に一貫している、しかしまた分子サイズの欠陥規則的な格子だけ。 画像は Si によってエッチングされるプローブの頂点のカーボンスパイクの血しょう助けられた沈殿によって準備される超鋭いプローブと得られました。 このプローブの値は期待された分子または atomicscale 順序のまた波形のより少なく命令された表面およびナノメーターのスケールの気孔の高解像イメージ投射の表面でだけ明示されます。 これの TEM の顕微鏡写真は図 2a.c でプローブ、定期的に使用された Si によってエッチングされるプローブおよび新しいダイヤモンドのプローブ集められます。 副10nm 頂点のサイズのそのようなプローブは分子スケールイメージ投射のために非常に貴重です。 
図 1. (a) 高解像 AFM イメージ投射に使用する polydiacetylene (PDA) のための BC 平らのの化学構造、水晶形および結晶学順序のスケッチ。 (b) - (c) 空気の叩くモードで得られる PDA の水晶の BC 表面の高さの画像。 カーボンスパイクのプローブは実験で使用されます。 画像は表面のグループおよび 1 つの分子スケールの欠陥の発注されたパッキングを示します。 画像は 10 Min. 間隔内の同じ位置に記録されました。 欠陥のシフトは ~0.6nm/min. の熱ドリフトと関連しています。 
図 2. AFM のプローブの TEM の顕微鏡写真。 (a) Si によってエッチングされるプローブの頂点で育つカーボンスパイク; (b) エッチングされた Si のプローブ; (c) ダイヤモンドの先端。 TEM の顕微鏡写真およびダイヤモンドは - B. Mesa (MicroStar の技術) の礼儀をひっくり返します。 プローブ (図 2a) のエクストレミティのいくつかのスパイクの存在は使用に確定制限を課します。 比較的平らなサンプルはそのようなプローブとサンプル表面が付いている多重スパイクの同時相互作用を避けるために調査されるべきです。 鋭いスパイクの壊れやすい性質はまた穏やか実行しますおよびイメージ投射プロシージャを必要とします。 これらの前提条件は Si によってエッチングされるプローブの場合にはより少なくデマンドが高く、頂点次元が副10nm 範囲にある場合もあるダイヤモンドは厳密に調べます。 鋭いプローブの使用のほかに、低い熱ドリフトが付いている AFM は (0.5nm/min の下で) この方法にとって固有遅いスキャンのために叩くモードの分子スケールイメージ投射のために重要です。 この lowthermal ドリフトの器械によって、分子スケールの解像度はまた方向づけられたポリテトラフルオルエチレン (PTFE) の層の画像で達成され、規則的な Si を使用して液体の結晶材料はプローブ (図 2b) およびダイヤモンドのプローブ (図 2c) をエッチングしました。 PTFE の高解像の画像は図 3a-b で示されています。 高さの 0.56nm のステップの平らな結晶台地はガラス基板の熱い摩擦によって準備されたこの層 (図 3a) の表面で見られます。 
空気の叩くモードで得られる図 3. (a) PTFE の層の高さの画像。 図 3a-b のトップで示されているより高い拡大の画像は点線とマークされた位置で得られました。 エッチングされた Si のプローブは実験で使用されました。 これは表面が単一の分子シートの形作られることを示します。 10 nm 位置の高リゾリューションの画像は (上残っている、) 0.56 nm 間隔の個々のポリマー鎖を示します。 またいくつかが図 3b で拡大されるいくつかの欠陥があります。 円によって示される転位の欠陥は 1 枚の分子シートから別のものに伸びる PTFE の鎖から成っています。 分子スケールイメージ投射の 1 つのより多くの例は Si の基板の星形の分子のアニールされた層の画像が集められる図 4 で示されます。 図 4a の大規模な画像で見られる形態パターンは液体の結晶材料のために共通です。 平らな領域で、 1 つは 3.4nm および 3.6nm の繰り返しの間隔によって特徴付けられるほとんど直角格子との結晶順序を区別できます。 X 線分析の結果を用いる AFM の画像の比較はこの層の分子パッキングを明らかにするのを助けます。 
図 4. (a) - (c) 空気の叩くモードの液体の結晶材料の表面で得られる高さの画像。 この材料を形作る (a) の挿入でディスク型の星の分子の化学構造のスケッチは示されています。 第 2 (b) の画像の FFT のパワースペクトルは挿入で示されています。 (c) の画像の下半分はフィルタに掛けることの後で示されています。 エッチングされた Si のプローブは実験で使用されました。 顕微鏡および nanoscopic 目的は特定の形および次元より多く画像で認識されます。 基板との相互作用の沈殿プロシージャそして細目によって異なった分子構造を採用する単一の高分子の視覚化は最もエキサイティングな AFM 機能の 1 つです。 DNA の高分子の AFM の調査は、例えば、前に定期的なプロシージャに 10 年以上なりました。 異なった先端力のイメージ投射は頻繁に画像対照にローカル機械特性を反映する、このプロシージャは単一の高分子に適用することができます変化を導き。 雲母に置かれる異なった力で DNA の高分子 (図 5b-c) のイメージ投射が行われるとき、高分子を表す構造の対照は全面的な形か DNA の期待されたサイズに相当して側面次元がもっと密接にあるより堅いコアを強調します。 
図 5. (a) - (c) 雲母の DNA の高分子の高さの画像。 (b) および (c) の画像は異なった先端力の同じ位置で得られました。 (d) - (f) Si の基板の液体の結晶の carbosilane の dendrimer の高分子の高さの画像。 これらの分子の化学構造のスケッチは (d) の挿入で示されています。 (e) および (f) の画像は異なった先端力の同じ位置で得られました。 別の例 (図 5d-f) では、球 5nm は Si の基板で沈殿した carbosilane の dendrimer の個々の高分子を表します。 異なった力のこれらの高分子の総計のイメージ投射は先端力が増加すると同時に高分子の外面が明るいから暗闇に対照を、計算する 5e-f を変更することを示します。 同じ条件で、分子の周囲と比較される高い剛さを明記する高分子のコアは明るく残ります。 この結果は分子動力学法のシミュレーションによって確認された分子の中央部分の高密度に対応します。 いずれの場合も、先端力によって誘導される画像の変更は可逆で、ローカル機械特性の変化を反映します。 個々の総合的なポリマー分子の調査のための AFM の使用は多の単一の鎖の視覚化 (スチレン) - b 多 (methylmethacrylate の) ブロック共重合体と湿気の変化によって引き起こされた構造の変更の監視によって最初に示されました。 この作業はミニ樹木状のグループが付いている単一の dendrimer の分子、高分子ブラシおよびポリマーが AFM と観察されたアプリケーションの急速に増加する番号に先行していました。 そのような調査のために、単一の高分子は非常に希釈液からの指定基板 (雲母、シリコンの薄片、ガラス、グラファイト、等) で普通沈殿します。 基板の選択は固定高分子および解くポリマー鎖のために必要です。 解くことはグラファイトへのターミナルアルキルグループのエピタクシーによってそれがミニ樹木状の側面のグループが付いているアルカンそしてポリマー分子の調査で示されていたので助けられるかもしれません。 単一の高分子のイメージ投射はとるに足らないプロシージャではないし、 1 つは AFM の画像から個々の高分子の正しいサイズを推論することの難しさを期待できます。 イメージ投射は基板のナノメータースケールの目的を隔離する間、高分子の形の先端の形の回旋、また単一の高分子の可能な先端誘発の変形を避けることは幾分困難です。 これらの効果は AFM の画像からの隔離された拡張鎖の幅そして高さの分析の間に考慮に入れられるべきですけれどもこれらの高分子の全面的な形の出現および輪郭の長さは画像でより正しく再生されます。 従って、画像は異なった基板の高分子の構造の評価と分子量分布についての直接情報を提供する分子長さのヒストグラムの構築のために使用することができます。 AFM が異なった基板のそして大きさの高分子の構造分析のために応用どのようにのである場合もあるか例はミニ樹木状のグループ (図 6a) が付いている polyphenylacetylene の高分子の調査で得られました。 
図 6. (a) ミニ樹木状のグループが付いている polyphenylacetylene の化学構造および X 線分析に基づく大きさのこれらの分子の出現のスケッチ。 バルクポリマーのひびの表面のこれらの高分子の高さの画像は雲母 (c) の単一の分子の領域のそしてグラファイト (d) および (e) の (b) を、見本抽出します。 (c) の挿入の番号は画像の陰刻とマークされる 4 分子の長さを明記します。 (d) の画像の赤い矢はグラファイトの分子スタックの 1 つを示します。 大きさでは、これらの高分子は六角形の格子で配列され、ミニ樹木状のグループの 「ジャケットで」包まれるコアによって形作られる個々の鎖の直径は 5nm (X 線データ) のまわりにあります。 バルクサンプルのひびの表面の AFM と観察された発注されたチェーン層は高分子の直径にステップ高さ (4.5nm) の同輩を表わします。 4.9nm の間隔はこのサンプル (図 6b) の表面の画像で見られた単一の鎖の間で見つけられました。 これらの次元は X 線分析と定められるチェーン直径 (5.0nm) に近いです。 雲母およびグラファイトのポリマー鎖の AFM の画像は図 6c-d で示されています。 雲母のポリマー総計の画像から断固としたの ~4.5nm のチェーン間隔はひびの表面の分子層で見つけられるそれと類似しています。 高分子がグラファイトで沈殿したときに、エピタクシーは基板の主要な結晶学の斧に沿うチェーンアラインメントの、計算します 6d を原因となりました。 (そのうちの一つは赤い矢によって明記されます) この画像の 3 つのスタックで測定されるようにグラファイトの高分子の幅は雲母でよりより大きいです (6.5-6.6nm)。 グラファイト (~0.79nm) の高分子の高さはまた大幅に雲母とひびの表面のそれと比較されて減ります。 これらの観察はポリマー鎖がグラファイトで平らになるが、提案しましたり雲母のほとんど円柱形をことを保ちます。 基板の高分子の自己アセンブリはの集中として沈殿のために使用される解決、増加起こります。 基板の詰められた高分子の領域は AFM で先端力のよくより単一の高分子に抗してもいいのでより容易に観察することができます。 異なった基板の高分子自己アセンブリの AFM の画像の分析から上がる本管の質問はポリマー層内の高分子相互作用および高分子と基板の間の相互作用の相互作用にかかわります。 後者は普通基板にすぐにある 1 つのまたは複数の層の高分子順序に影響を及ぼします。 層内の分子間の相互作用は異なった mesogen のグループから起きることができ、ポリマー材料で基板への層の近さへの検索能力無しで支配するかもしれません。 複数の興味深い結果はグラファイトのアルカンおよびポリエチレンの層の AFM の調査 (PE)で得られました。 見られる何がアルカンの AFM の画像で高さまたは段階の画像の別の対照のストリップの交替です。 図 7a.c の C H18、38C H36、74および C H の60アルカン122 の AFM の画像はストリップの幅がポリマー鎖の長さと一致することを示します。 これまでは、個々のアルカン鎖を示す AFM の画像は、一方個人の視覚化知られません - CH の2-グループは通常グラファイトが付いている液体固体インターフェイスのアルカン層の STM の画像で達成されます。 AFM の画像では、端のアレイ -3薄板の端の CH のグループは濃い線として普通見られます。 このアサインメントは C H の層 (図 8a-d390)782のイメージ投射によって先端サンプル力の相互作用が変わったと同時に高さおよび段階の画像の可逆変化が観察されたところ確認されます。 
図 7. (a) - (c) グラファイトの C H18、38C H36および74C H の60アルカン122の段階の画像層。 
図 8. (a) - (b) (残っている) 軽い叩くことで得られるグラファイトの超長いアルカン C H の390高さ782および段階の (右の) 画像。 (c) - (d) (残っている) (a) および (b) のと同じ位置の高さおよび段階の (右の) 画像懸命に叩くことで得られて。 すべての画像は T=130°C. で得られました。 近隣の薄板のリボン間の橋を形作る (c) の円とアルカン分子と関連しているローカル欠陥の 1 つは明記されます。 軽い叩くことで、高さの画像は表面の地形を表します; 従って、 - 扱いにくいより3アルカンの CH の端のグループ、 - CH のグループの2-サイトは、高い見られます。 対応する段階の画像の僅かな対照は低い先端サンプル力の相互作用を確認します。 先端力が (懸命に叩きます) 増加する時、移動式の領域の可能な先端の変形 - CH の3グループはこれらの位置を高さおよび段階の画像でより暗いようであるします; 従って、画像はグラファイトのアルカン層の薄板順序を表し、さまざまな欠陥の視覚化を助けます。 近隣の薄板のリボン間の橋を形作るアルカン分子と関連している 1 つのそのような欠陥は図 8d で指摘されます。 高温のポリマーサンプルの調査は異なった基板の吸着質の層の構成に関する非常に貴重な情報をもたらすことができます。 溶解基板インターフェイスの順序が大幅に関連の水晶の溶ける温度を超過する温度で1838保たれることを390特に782、異なった (PE)長さのアルカンの層の高温イメージ投射の私達の作業 (C から C H) およびグラファイトのポリエチレンへの H は示しました。 そのような測定では、先端は溶解を通って突き通り、基板にすぐにある薄板の層に達します。 構造語順換えは図 9a-f で C H のアルカンおよび PE の画像によって390示されている782方法の高温で進みます。 
150°C. のグラファイトの図 9. (a) - (c) 超長い390C782H の高さの画像は 155°C. (d) でグラファイトで層になります - (f) ポリエチレンの層の高さの画像。 C H の390層782(図温度が 155°C に達した後 9a.c。) の場合には、中間台地のジグザグ形型の薄板は最初によりまっすぐな形にそして次に台地の端に沿って新しい方向に向けられて変更しました。 これらの交替は層内の分子とアルカン分子と基板間の複数の相互作用の相互作用を反映します。 より扱いにくい - CH の3端のグループは薄板のジグザグ形の形を引き起こした互いに関して鎖の滑走を実施します。 温度の増加によって、分子移動性は高められ、十分なスペースは近隣の鎖の端のグループのために使用できるようになります。 これは薄板のまっすぐになることを説明するかもしれません。 高められた分子移動性はまたグラファイトの主要な方向の 1 つのアルカン鎖の登録の損失を誘発しました。 その結果、薄板のリボンは台地の端に沿って優先的に一直線に並びます。 PE の層 (図 9d-f) の場合には、基板の主な斧に沿う明示されているオリエンテーションを (画像を残しました) 表わした薄板の領域は次第にそれ以上の高められた分子移動性 (中間および右の画像) によるこのエピタキシアル整理を失いました。 薄板順序の材料、損失 (右の画像の右の上のコーナーを見て下さい)、およびブロックへの個々の薄板の破損の進行中の isotropization はこのプロセスで続かれるローカルチェーン動きの結果です。 多成分ポリマー材料のマップ 多成分ポリマー材料は異なったポリマーおよび注入口 1 の適切な混合によって好ましい特性が付いている材料を設計できるので多くの企業で広く利用されています。 そのような材料の構造特性関係は顕微分析なしで理解しにくいです。 AFM は何百ものミクロンからのナノメーターにスケールでこの分析で非常に有用です。 個々のコンポーネントの特定の形、また機械および電気特性の変化はそれらが AFM の画像の互いと区別されるようにします。 2 つの nanocomposites の画像、 Si の粒子が付いている polyparaxylylene および粘土が付いているポリプロピレンは図 10a-b で、示されています。 5-10nm で変わる半径が付いている小さい球が及ぶと同時に見られる Si の粒子はポリマーマトリックスで、分散します。 層にされた粘土の鉱物の小さいシートは、総計のそのうちのいくつか図 10b の複数の位置の構造端でように、見られます。 総計の存在は分子サイズに厚さの多重シートに注入口を分けることができる剥脱プロセスが最適化されなかったことを示します。 
図は Ag の粘土の粒子 (b) で満ちていた粒子 (a) およびポリプロピレンで polyparaxylylene の 10. 段階の画像満ちました。 副 100 nm 画像の個々の nanoparticles の高解像の観察の方のそれ以上の努力はマトリックスの分布を視覚化するためにだけまた多成分材料および今幾分困難の適切なアサインメントの nanoparticles の特定の形を定めるためにかなり好ましいですが。 microphase の視覚化は 5-50nm 範囲の構造パラメータによって特徴付けられるブロック共重合体の形態 (球形、円柱、薄板かまたは micellar) をです AFM のアプリケーションの定期的なプロシージャの 1 つ分けました。 ポリマーブレンドの段階分離の結果形作られる異なったコンポーネントの領域は大型普通です。 AFM は異なった粗雑になるプロセスの実質スペース観察を提供し、段階の体積分率の直接定量化およびさまざまな形態の領域インターフェイス湾曲の計算を可能にします。 ブロック共重合体およびポリマーブレンドの AFM の画像の対照の変化はコンポーネントの機械特性の相違と関連しています。 AFM は sub-micron に異なったサンプル位置の力のカーブの検査によってローカル機械特性の調査をで縮小します可能にします。 図 11 の画像はポリマー特性のマクロスコピックテストがナノテクノロジーの開発のために重要である nanoscale に伸ばすことができることを示します。 力のカーブは間隔 (DvZ) または振幅偏向対対間隔 (AvZ) の依存関係示します。 柔らかい材料のためのアプリケーションでは、 DvZ のカーブは頻繁に先端がサンプルを突き通し、実際に表面層を損なう間、記録されます。 
図 11. (a) - (b) 異なった機械特性との表面の位置を示すポリスチレン b ポリブタジエン b ポリスチレンのフィルムの 500nm および 100nm 領域の力ボリュームマップ。 緑の十字とマークされる 1 つとしてより明るい領域はポリスチレンのための AvZ 次カーブによって示されている (a) そして公有地によって特徴付けられます; ポリブタジエンのための AvZ 次カーブによって示されている (b) そして公有地著交差青と示される 1 つとしてより暗い領域。 より少なく有害の、より小さい先端サンプル領域特徴付けられる AvZ のカーブの測定は 1nm の前例のない解像度の徹底的な表面の機械特性のためにより適しています。 これはポリスチレンブロックポリブタジエンblockpolystyrene (SBS) の triblock の共重合体の薄膜の表面で集められる AvZ のカーブの 128x128 アレイの構築される力ボリュームマップによって図 11a-b で示されます。 ポリスチレンおよびポリブタジエンのブロックと先端の相互作用を表すカーブは異なっています (b) 図 11a-; マップの異なった対照はオペレータが選択するトリガーのレベルに相互作用のプローブの振幅を弱めるのに必要とされる Z 旅行の変化を反映します。 そのような実験は異なったブロックによって占められる表面の位置の精密な識別を可能にし、注意深い検査の下に現在挑戦的な問題である量的なデータの抽出の nanomechanical モデルの実験データを提供します。 AFM が付いているポリマーの nanomechanical 性格描写の今後のエクスパンションでは、広い周波数範囲のそしてさまざまな温度の異なったポリマーシステムの粘弾性がある応答を検査することは重大です。 ポリマー材料の AFM の調査は上述の例に示すように周囲温度でだけまた高温で、行うことができます (図 8-9)。 最近、調査は低温の方に拡大されました: 多成分ポリマー材料のイメージ投射の例は図 12a.c で示されます。 これらの画像は異なった温度の屋根ふき材料のサンプルで得られました。 段階の画像の対照はの T = -10ºC 特定の形態がある別のポリマーの推定上ゴム製マトリックスそしてより堅い領域を区別します。 段階の対照はで T = -35ºC 消失しました、けれども領域はコンポーネントの熱収縮の相違による高さの画像で目に見えるように、可能性が高いなりました。 
図 12。 異なった温度の屋根ふき材料の高さ (残っている) および段階の (右の) 画像: (a) 25°C、 (b) (- 10°C) および (c) (- 35°C)。 温度の屋根ふき材料の異なったコンポーネントの機械特性の変化はこれらの画像に反映されます。 これはサンプル形態を特徴付けるのを助けます。 一連のブロック共重合体で行われたより早い調査はイメージ投射が 1 つのコンポーネントのそして他のコンポーネントの T の下のガラス転移 (t) の上の温度で行なわれるとき異質ポリマー材料gのコンポーネントの微分が達成されるgベストであることを示しました。 半導体へのポリマー材料の増加する浸透によって、およびこれらの材料の半導体の特性は小規模で行なうことのデータ記憶およびフラットパネルの企業、検査重要な研究分野になっています。 電気力の顕微鏡検査、表面の潜在的な顕微鏡検査、および (EFM) AFM のような AFM 関連の技術の機能は行なうことおよびトンネルを掘ることまだ十分に探索されることを持っています。 これらの方法の適用例が私達カーボンブラック - 熱可塑性の vulcanizate で満ちている図 13a.c で (CB)示されているポリマーブレンドの画像を考慮するので。 この調査のためのサンプルは cryo ultramicrotome と準備されました。 図 13a の高さの画像はサンプル位置の 1 つの表面の地形を明らかにします。 多数の明るい粒子は多分サンプルをくまなく配られる CB の粒子を示します。 図 13b の EFM 段階の画像は同じ位置でスキャンのプローブがサンプル表面の上でわずかにスキャンしていたときに得られました。 この画像の黒ずみはこのサンプルの伝導性に責任がある濾過ネットワークに貢献する CB で満ちている行なう領域を明記します。 次元 (40-60nm) によって認識可能である CB の粒子は暗い領域に限定されません。 これはただ埋め込まれた粒子の部分が濾過ネットワークに貢献することを意味します。 
図 13。 (a) 叩くモードで得られる熱可塑性の vulcanizate の高さの画像。 (b) (a) 20nm のプローブの上昇との電気力の顕微鏡検査のモードで得られるのと同じ位置の段階の画像。 (c) (a) のと同じ位置の表面の潜在的な画像。 図 13c の画像は同じ表面の位置で表面の潜在性の分布を示します。 明るい点は表面の変更に (画像の左側で) 割り当てることができます。 画像のそれぞれは形態および構造との材料そして相関関係の電気特性の性格描写で非常に貴重である場合もある補足情報を提供します。 |