Просматривая Микроскопия Зонда (SPM), Автоматизированные Измерения с Решителем LS SPM NT-MDT

FIG. 2 показывает меню автоматизированных измерений для 25 пунктов. Координаты каждого пункта сохранены в программе. ПО автоматически захватывает оптически изображение настоящего положения (с разрешением вниз до 1,5 микрона), выполняет измерение SPM, двигает образец к следующему сохраненному положению Etc. Все сохраненные данные могут автоматически быть обработаны ПО для того чтобы получить статистик или некоторый параметр для всех измеренных областей.

Диаграмма 2.

Селективное облучение через маску образца содержа преполимер, мономеры и инициатор фото причиняет образование периодически повышаемых структур сброса (Fig.3). Для применений в технологии по воспроизведению изображений одном цели получить самые высокие возможные структуры сброса. Образование повышенных структур зависел на большое количество условий подготовки образца как начальная толщина фильма, состав, период прикладной маски, интенсивность света и температура в этапе обработки.

Диаграмма 3.

Для того чтобы расследовать оптимальные обрабатывая условия, было выбрано комбинаториальное настроение в котором на большом субстрате 2 параметры были поменяны одновременно. Приводя к образец состоит из 4 рядков решеток полимера с различными тангажами (5, 10, 20, и 40 микронов). Каждый рядок состоит из 11 области которая были подготовлены на различных условиях (например интенсивность света или температурный градиент во время развития) (Fig.3, праве). Полный размер образца 25x102 mm. Автоматический анализ SPM позволяет нам определить правильные условия подготовки образца, на пример, на чточто достиган максимальный коэффициент сжатия решетки полимера. Fig.4 демонстрирует зависимость grating высоты на интенсивности света (для образца полученного путем использование маски градиента интенсивности). Образец состоит из 44 областей: 4 тангажа и 11 значение дозы энергии были использованы для образования решетки полимера. Автоматические измерения были исполнены в выстукивая режиме. Результаты исследования 4 зависимости на каждый grating период которая показывает изменения высоты 0Nс увеличением дозой энергии. Эта информация позволяет определению оптимальных условий подготовки для образца.

Диаграмма 4.

Измерения обширных районов с SPM возможны только движением головки SPM над поверхностью образца системой позиционирования. Анализ толщины закрутк-покрынного фильма полимера над 3,5 расстояниями cm был выполнен с помощью автоматическому SPM. Закрутк-покрынный фильм депозированный на кремнии был поцарапан ножом (Fig.5) и толщина фильма была измерена в 19 положениях вдоль скреста (Fig.6). Координаты тех положений были сохранены в ПО перед просматривать. Толщина фильма была определена как расстояние между максимумами на зависимости количества пикселов на z-координатах пикселов. Анализ толщины фильма (Fig.6, права) показывает что средняя часть фильма довольно равномерна; между тем зона 7 mm около края фильма имеет переменную толщину показать двигать материального снаружи во время закрутк-покрытия.

Диаграмма 5.

Диаграмма 6.

Монослой trichlorsilane octadecyl (OTS) депозированный на вафле кремния может быть окислен электрохимически путем использование проводных подсказок SPM. В нормальных условиях тонкий слой воды присутствовал всегда на поверхности. Продукты разложения из этого позволяют нам изменить стержень - группы в составе₃ CH слой OTS к - COOH путем применяться напряжения тока к подсказке. Самая малая доработанная область может быть как мала по мере того как размер подсказки (она зависит также на влажности, подводимом напряжении Etc.). Результат оксидации видим на изображении бокового усилия в режиме контакта. Перевод литографской картины над обширным районом путем двигать располагая этапа формирует макроскопические литографские картины при минимальная деталь лежа в ряде нанометра. Fig.7 показывает распределение бокового усилия для окисленного фильма OTS. Выйденный блок этой картины (Fig.7,) был переведен над обширным районом путем двигать располагать этап. Fig.7 выпрямляют часть выставок только доработанной зоны которая большле чем размер развертки. В блоках итога 100 (10 10) spanning 0,2 0,2 mm были сделаны в после этого 2 часа.

Диаграмма 7.

Примечание: Полный список справок может быть получен путем ссылаться к подлинному документу.