Dielektrische Dünnfilm-Maße Unter Verwendung der Nano--Kratzer Prüfvorrichtung (NST) Von CSM-Instrumenten

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Hintergrund

Dielektrische Dünnfilme

Prüfung

Hintergrund

Da die Einleitung von hoch entwickelten Absetzungstechniken, von Entstehung von Dünnfilmen und von Beschichtungen, die dielektrische Eigenschaften aufweisen, für Anwendungen, in denen spezifisch elektrostatische Eigenschaften, alltäglich geworden ist werden gefordert.

Dielektrische Dünnfilme

Dielektrische Dünnfilme haben das eindeutige Merkmal des In der Lage seins, elektrostatische Aufladung zu speichern und finden erhöhten Gebrauch in den Bereichen wie Leiterplatten (PCBs), Solarzellen und Berührungsflächenbildschirmen. In Form von harten Beschichtungen umfassen gebräuchlicher heutiger Tag der Materialien Titandioxid, Borosilicates und Titanate (Ba, Sr, Ca, Mg und Pb), diese, die in den spezifischen Anwendungen wie D-RAM-Chips gefunden werden und Fühler. Dielektrische Beschichtungen Photodefinable dienen viele Funktionen wie Passivierungsschichten, Druckbuffer, planarising Schichten und Schutzmasken für nachfolgende Assemblierungen. Ihre mechanische Integrität sowie Beitritt, sind wichtige Überlegungen.

AZoNano - das A bis Z der Nanotechnologie - Optischer Mikrograph (a) einer typischen kritischen Schwachstelle für einen progressiven Belastungskratzer auf einem dielektrischen Dünnfilm. Das SFM-Bild (b) bestätigt den Umfang einer Ablösung, von dem ein Profil (c) extrahiert werden könnte, um Massenkarambolagephänomene (punktierte Zeile in (b)) zu überprüfen.

Abbildung 1.

AZoNano - das A bis Z der Nanotechnologie - NST-Ergebnisse für die Probe gezeigt in Fig. 1 einschließlich Resttiefe, Eindringtiefe, tangentiale Kraft und Normalkraftkurven. Die progressive Belastungskratzerprüfung wurde über der Reichweite 0 - Mangan 10 mit einer kugelförmigen Diamantspitze von Radius 2 μm durchgeführt. Die Grenzbelastung, an der Versagen der Beschichtung auftrat, war Mangan 4,2.

Abbildung 2.

Prüfung

Dieser Artikel kennzeichnet ein typisches Beispiel einer kompletten Prüfung, die mit der Nano-Kratzer-Prüfvorrichtung von (NST) CSM-Instrumenten auf einer harten dielektrischen Beschichtung von Stärke 100 nm durchgeführt wird. Fig. 1 Shows das Ergebnis eines progressiven Belastungskratzers, der Beschichtungsversagen an einer angewandten Belastung von Mangan 4,2 verursachte.

Der Bereich um diesen kritischen Punkt ist an der hohen Auflösung mit dem Scannen-Kraft-Mikroskop in Fig. (SFM) 1 (b) und in einem extrahierten Profil abgebildet gewesen (Fig. 1 (c)) das das Vorhandensein der Massenkarambolage entlang den Seiten des Kratzerpfades bestätigt. Fig. 2 zeigt die entsprechenden Maßergebnisse: vom besonderen Interesse ist das beobachtete Entspannung der Wolframsubstratfläche (gesehen als der Unterschied zwischen der Eindringtiefe, PD und der Resttiefe, RD, wie unter Verwendung des Nachscan Teildienstes gemessen).

Quelle: CSM-Instrumente

Zu mehr Information über diese Quelle besuchen Sie bitte CSM-Instrumente

Date Added: Dec 4, 2006 | Updated: Jun 11, 2013

Last Update: 13. June 2013 12:36

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