| Galliumnitrid kennzeichnet einige eindeutige Eigenschaften wie großer Bandabstand, starke interatomic Anleihen und hohe Wärmeleitfähigkeit. Anwendungen Entlang dem letzten Jahrzehnt hat GaN große Zinsen wegen seiner möglichen Anwendungen an den elektronischen Geräten der hohen Leistung und der Hochfrequenz sowie an blauen LED-Einheiten angezogen. GaN-Schichten werden normalerweise durch MetallOrganisches Chemisches Bedampfen und die Methoden der Molekularstrahlepitaxie gewachsen. 
Abbildung 1. GaN, verschiedene Probenaufbereitungszustände. Bildgröße 5x5 um, Z-Reichweite 1,5 nm Saphir Substratfläche Saphir ist jetzt die allgemein verwendetste Substratfläche obgleich von seinen in hohem Grade schlecht zusammengestellten Koeffizienten des Gitters und der thermischen Reihenentwicklung. Als Folge enthalten die erreichten GaN-Schichten häufig Defekte einer großen Zahl, hauptsächlich Versetzungen. Schritte und Schrauben-Versetzungen Das Bild zeigt ein Stück von GaN mit Schritten und Schraubenversetzungen (Löcher). Das Ziel ist, Zahl von Versetzungen und von Schrittverteilung zu zählen. |