| El nitruro del Galio ofrece algunas propiedades únicas tales como separación de banda grande, bonos interatómicos fuertes, y alta conductividad térmica. Aplicaciones A Lo Largo de la década pasada, GaN ha atraído grandes intereses debido a sus aplicaciones potenciales en poder más elevado y dispositivos electrónicos de alta frecuencia así como en dispositivos azules del LED. Las capas de GaN son crecidas generalmente por la Deposición de Vapor Químico Orgánica del Metal y los métodos de la Epitaxia de Haz Molecular. 
El Cuadro 1. GaN, diversa preparación de la muestra condiciona. Talla 5x5 de la Imagen um, Z-Rango 1,5 nanómetro Substrato del Zafiro El Zafiro ahora es el substrato más de uso general aunque de sus coeficientes del cedazo altamente desequilibrado y de la extensión térmica. Por consiguiente, las capas obtenidas de GaN contienen a menudo los defectos de un gran número, principal dislocaciones. Pasos De Progresión y Dislocaciones de Tornillo La imagen muestra un pedazo de GaN con los pasos de progresión y las dislocaciones de tornillo (agujeros). La meta es contar el número de dislocaciones y de distribución del paso de progresión. |