Galium nitrida memiliki beberapa sifat unik seperti band gap yang besar, obligasi interatomik yang kuat, dan konduktivitas termal yang tinggi. Aplikasi Sepanjang dekade terakhir, GaN telah menarik minat yang besar karena potensinya dalam aplikasi daya tinggi dan perangkat elektronik frekuensi tinggi serta perangkat LED biru. Lapisan GaN biasanya ditanam oleh Deposisi Logam Kimia Organik uap dan metode Molekuler Beam epitaksi.  Gambar 1 GaN,. Kondisi persiapan sampel yang berbeda. Ukuran foto 5x5 mm, Z-rentang 1,5 nm Substrat Sapphire Sapphire sekarang substrat paling umum digunakan walaupun kisi yang sangat cocok dan koefisien ekspansi termal. Sebagai akibatnya, lapisan GaN yang diperoleh sering mengandung sejumlah besar cacat, terutama dislokasi. Langkah-langkah dan Dislokasi Screw Gambar menunjukkan sepotong GaN dengan langkah-langkah dan dislokasi ulir (lubang). Tujuannya adalah untuk menghitung jumlah dislokasi dan distribusi langkah. |