| ガリウム窒化物は大きいバンドギャップ、強い interatomic 結束および高い熱伝導度のようなある一義的な特性を特色にします。 アプリケーション 最後のディケイドに沿って、 GaN は潜在的なアプリケーションのために高い発電および高周波電子デバイスの、また青い LED 装置の大きい興味を引き付けました。 GaN の層は通常金属の有機性化学気相堆積および分子線エピタキシ法方法によって育ちます。 
図 1. GaN は、別のサンプル準備調節します。 画像のサイズ 5x5 um、 Z 範囲 1.5 nm サファイアの基板 今ではサファイアは最も広く使われた基板が非常に組合わせを誤まられた格子および熱拡張係数のです。 結果として、 GaN の得られた層は頻繁に大きい番号欠陥、主に転位を含んでいます。 ステップおよびねじ転位 画像はステップおよびねじ転位 (穴) の GaN の部分を示します。 目的は転位およびステップ分布の番号を数えることです。 |