| O nitreto do Gálio caracteriza algumas propriedades originais tais como a grande diferença de faixa, ligações interatómicas fortes, e a condutibilidade térmica alta. Aplicações Ao Longo da última década, GaN atraiu grandes interesses devido a suas aplicações potenciais em dispositivos electrónicos do poder superior e da alta freqüência assim como em dispositivos azuis do DIODO EMISSOR DE LUZ. As camadas de GaN são crescidas geralmente pelo Depósito de Vapor Químico Orgânico do Metal e pelos métodos da Epitaxia de Feixe Molecular. 
A Figura 1. GaN, preparação diferente da amostra condiciona. Tamanho 5x5 da Imagem um, Z-Escala 1,5 nanômetro Carcaça da Safira A Safira é agora a carcaça a mais de uso geral embora de seus coeficientes da estrutura altamente combinada mal e da expansão térmica. Consequentemente, as camadas obtidas de GaN contêm frequentemente defeitos de um grande número, principalmente deslocações. Etapas e Deslocações de Parafuso A imagem mostra uma parte de GaN com etapas e deslocações de parafuso (furos). O objetivo é contar o número de deslocações e de distribuição da etapa. |