Вывихивания и Шаги Винта Воображения в Нитрид Галлия С Оборудованием От NanoSurf

Покрытые Темы

Предпосылка

Применения

Субстрат Сапфира

Шаги и Вывихивания Винта

Предпосылка

Нитрид Галлия отличает некоторыми уникально свойствами как большой зазор диапазона, сильные межатомные связи, и высокая термальная проводимость.

Применения

Вдоль последней декады, GaN привлекало большие интересы вследствие своих потенциальных применений в электронных устройствах наивысшей мощности и частоты коротковолнового диапазона так же, как в голубых приборах СИД. Слои GaN обычно растутся Низложением Химического Пара Металла Органическим и методами Эпитаксии Молекулярного Луча.

AZoNano - A к Z Нанотехнологии - GaN, различная подготовка образца подготовляет

Диаграмма 1. GaN, различная подготовка образца подготовляет. Размер 5x5 Изображения um, Z-Ряд 1,5 nm

Субстрат Сапфира

Сапфир теперь наиболее обыкновенно используемый субстрат хотя своих сильно рассогласованных коэффициентов решетки и теплового расширения. Как последствие, полученные слои GaN часто содержат дефекты большого количества, главным образом вывихивания.

Шаги и Вывихивания Винта

Изображение показывает часть GaN с шагами и вывихиваниями винта (отверстиями). Цель подсчитать номер вывихиваний и распределения шага.

Источник: Nanosurf

Для больше информации на этом источнике пожалуйста посетите Nanosurf

Date Added: Feb 22, 2007 | Updated: Jun 11, 2013

Last Update: 13. June 2013 12:54

Ask A Question

Do you have a question you'd like to ask regarding this article?

Leave your feedback
Submit