| Нитрид Галлия отличает некоторыми уникально свойствами как большой зазор диапазона, сильные межатомные связи, и высокая термальная проводимость. Применения Вдоль последней декады, GaN привлекало большие интересы вследствие своих потенциальных применений в электронных устройствах наивысшей мощности и частоты коротковолнового диапазона так же, как в голубых приборах СИД. Слои GaN обычно растутся Низложением Химического Пара Металла Органическим и методами Эпитаксии Молекулярного Луча. 
Диаграмма 1. GaN, различная подготовка образца подготовляет. Размер 5x5 Изображения um, Z-Ряд 1,5 nm Субстрат Сапфира Сапфир теперь наиболее обыкновенно используемый субстрат хотя своих сильно рассогласованных коэффициентов решетки и теплового расширения. Как последствие, полученные слои GaN часто содержат дефекты большого количества, главным образом вывихивания. Шаги и Вывихивания Винта Изображение показывает часть GaN с шагами и вывихиваниями винта (отверстиями). Цель подсчитать номер вывихиваний и распределения шага. |