| Alto-k óxido de aluminio Ultrafino 2.5nm (películas2del Al3O) en el p-tipo silicio (001) depositado por la deposición atómica de la capa (ALD) fue investigado con la microscopia atómica sin contacto de la fuerza (NC-AFM) en vacío ultraalto, usando una punta conductora. Imágenes Constantes del Gradiente de la Fuerza Las imágenes Constantes del gradiente de la fuerza revelaron la presencia de cargas del óxido y de observaciones experimentales mientras que diversa potencialidad de la punta-muestra fue comparada con cálculos del gradiente de la fuerza eléctrica basado en un modelo esférico de la punta. este modelo se podía mejorar substancialmente por la incorporación de la imagen de la punta en el substrato del semiconductor. Diferencia Potencial de Contacto De Acuerdo con las señales de diversas cargas del óxido observadas, una distribución homogénea de la profundidad de ésas carga fue derivada. La Aplicación de una diferencia potencial entre la muestra y la punta fue encontrada para dar lugar a una fuerza eléctrica neta dependiendo de la diferencia potencial de contacto (CPD) y de la capacitancia efectiva de la punta-muestra, que depende de la capa del agotamiento o de la acumulación que es inducida por el voltaje de polarización. Las imágenes del CPD se podían construir de espectros del altura-voltaje con feedback activo. 
Cuadro 1. imagen de la topografía del 1ìm del x 1ìm de una película del Al O2de 2,53nanómetro en el Si Aparte de las cargas del óxido en grande (talla lateral 150 - de 300 nanómetro) y (50 - 100 nanómetro) las fluctuaciones a escala reducida del CPD fueron observados, estes último que mostraban un alto nivel de correlación con las características de la topografía. Esta correlación pudo ser un resultado del modo superficie-inhibido del incremento de las capas investigadas. |