| Oxyde d'aluminium du haut-k 2.5nm Ultra-mince (films2d'Al3O) sur le silicium de type p (001) déposé par dépôt atomique de couche (ALD) ont été vérifiés avec la microscopie atomique de non contact de force (NC-AFM) dans le vide très poussé, utilisant une extrémité conductrice. Images Constantes de Gradient de Force Les images Constantes de gradient de force ont indiqué la présence des frais d'oxyde et des observations expérimentales car la potentialité différente d'extrémité-échantillon étaient avec des calculs du gradient de force électrique basé sur un modèle sphérique d'extrémité. ce modèle a pu être considérablement amélioré par la constitution de l'image de l'extrémité dans le substrat de semi-conducteur. Différence Potentielle de Contact Basé sur les signes de différents frais d'oxyde observés, une distribution homogène de profondeur de ceux charge a été dérivée. L'Application d'une différence potentielle entre l'échantillon et l'extrémité s'est avérée pour avoir comme conséquence une force électrique nette selon la différence potentielle de contact (CPD) et la capacité pertinente d'extrémité-échantillon, qui dépend de la couche d'épuisement ou d'accumulation qui est induite par la tension de polarisation. Des images de DPC ont pu être construites des spectres de hauteur-tension avec le contrôle par retour de l'information actif. 
Le Schéma 1. image de topographie de 1ìm x de 1ìm d'un film d'Al O2de 2,53nanomètre sur le SI Indépendamment des frais d'oxyde de grande puissance (taille transversale 150 - de 300 nanomètre) et (50 - 100 nanomètre) des variations à petite échelle de DPC ont été observés, ce dernier affichant un niveau élevé de corrélation avec des configurations de topographie. Cette corrélation pourrait être un résultat du mode surface-inhibé d'accroissement des couches vérifiées. |