| Óxido 2.5nm de alumínio alto-k Ultrathin (filmes2do Al3O) no p-tipo silicone (001) depositado pelo depósito atômico da camada (ALD) foi investigado com microscopia atômica noncontact da força (NC-AFM) no vácuo ultrahigh, usando uma ponta condutora. Imagens Constantes do Inclinação da Força As imagens Constantes do inclinação da força revelaram a presença de cargas do óxido e de observações experimentais enquanto a potencialidade diferente da ponta-amostra foi comparada com os cálculos do inclinação da força elétrica baseado em um modelo esférico da ponta. este modelo podia substancialmente ser melhorado pela incorporação da imagem da ponta na carcaça do semicondutor. Diferença Potencial de Contacto Baseado nos sinais das cargas diferentes do óxido observadas, uma distribuição homogénea da profundidade daquelas cobra foi derivada. A Aplicação de uma diferença potencial entre a amostra e a ponta foi encontrada para conduzir a uma força elétrica líquida segundo a diferença potencial de contacto (CPD) e a capacidade eficaz da ponta-amostra, que depende da camada da prostração ou da acumulação que é induzida pela tensão diagonal. As imagens do CPD podiam ser construídas dos espectros da altura-tensão com feedback activo. 
Figura 1. imagem da topografia de 1ìm x de 1ìm de um filme do Al O2de 2,53nanômetro no Si Independentemente das cargas do óxido em grande escala (tamanho lateral 150 - de 300 nanômetro) e (50 - 100 nanômetro) as flutuações em escala reduzida do CPD foram observados, os últimos que mostram um alto nível da correlação com características da topografia. Esta correlação pôde ser um resultado do modo superfície-inibido do crescimento das camadas investigadas. |