超薄2.5nm高- k p型硅（001）三氧化二铝（AL 2 O 3）薄膜沉积原子层沉积（ALD）与非接触式原子力显微镜，超高真空（NC - AFM）的调查，使用导电一角。 恒力梯度图像 恒力梯度图像显示存在氧化收费和实验观察，不同的提示样本潜力相比，基于一个球形的尖端模型电场力梯度计算。 在半导体基板上的尖 端形象纳入这个模型，可以大大提高。 接触电位差 基于观察到不同的氧化收费的信号，这些收费的同质深度分销是派生的 。 样品和针尖之间的电位差的应用，发现结果在电视上的接触电位差（CPD）和有效的针尖样电容，这取决于耗尽或堆积层，是由偏置电压引起的净力。 从高度电压光谱图像可以构建持续专业发展，积极的反馈 。  图1。1ìm x 1ìm为2.5纳米的地形图像 铝2 O 3 的Si薄膜 大型（150 - 300 nm的横向尺寸）和小规模的持续专业发展的波动（50 - 100纳米），除氧化收费观察，后者表现出高度的相关性与地形特点。 这种关联可能是一个结果，从表面抑制增长调查层层模式。 |