| 超薄的 2.5nm 高的 k 氧化鋁 (在23基本層證言 (001) 的 Al O) 影片存款的 p 型的硅 (ALD)調查與沒有接觸的基本強制顯微學 (NC-AFM) 使用一個導電性技巧，在超高真空。 恆定的強制梯度圖像 當另外技巧範例潛在性與在一個球狀技巧設計基礎上的電力梯度的計算比較恆定的強制梯度圖像顯示了氧化物充電和實驗觀察出現。 此設計能被技巧的圖像的並網充分地改進在半導體基體的。 接觸電位差 基於被觀察的不同的氧化物充電信號，那些的一個同源深度配電器充電派生了。 發現電位差的應用範例和技巧之間的導致淨電力根據接觸電位差 (CPD)和有效技巧範例電容，取決於取盡或累計層偏壓導致。 CPD 圖像能從與有效的反饋的高度電壓光譜被修建。 
在 Si 的圖 1. 1ìm x 1ìm 2.5 毫微米 Al O2影片的3地勢圖像 除大規模氧化物的充電 (150 - 300 毫微米側向範圍) 和小規模 (50 - 100 毫微米) CPD 波動外被觀察了，顯示高度與地勢功能的相關性的後者。 此相關性也許是從調查的層的表面被禁止的增長模式的一個結果。 |