Flash-Speicher NAND-4Gb Unter Verwendung 70nm der Verfahrenstechnik - Neues Produkt

Samsung Electronics hat das erste 70nanometer der Welt (nm) 4 Gigabit NAND- (Gb)Flash-Speicher entwickelt.

Das Blinken NAND-4Gb ist von NAND-Flash-Speicher das der vierten Generation. Das Wachstum des Flash-Speichers hat es gesehen, in der Dichte sich zu verdoppeln alle zwölf Monate. Diese Tendenz fing in 199, als Speicher 256Mb freigegeben wurde und von 512Mb im Jahre 2000 gefolgt wurde, in 1Gb im Jahre 2001, in 2Gb im Jahre 2002 und in 4Gb im Jahre 2003 an. Auf den Niveaus mit hoher Schreibdichte ersetzt Permanentspeicher jetzt Magnetbänder und Festplattenlaufwerke von geringer Dichte durch Festkörperdatenspeicher. Die Platz-, Gewichts- und Leistungseinsparungen, die NAND-Blinken erlaubt, sehen, dass sie in den beweglichen Anwendungen wie Notizbuch PC, Tablette PC, Mobiltelefonen, Spielern MP3 und PDAs verwendeten.

Samsungs 4Gb NAND-Flash-Speicher hat die kleinste Speicherzellengröße von 0.025um, das2 zu ihm unter Verwendung einer Auslegung des Knotenpunktes 70nm passend ist. Eine Andere Industrie ist zuerst ein Tor mit 300 Ångström Wolfram, Interzellenwiderstand und Geräuschpegel zu verringern, höhere Leistung in den Multigigabit Speicherauslegungen sicherstellend.

Bekannt gegeben 2003nd Am 2. Oktober

Date Added: Oct 2, 2003 | Updated: Jun 11, 2013

Last Update: 11. June 2013 20:53

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this article?

Leave your feedback
Submit