Memoria Flash de 4Gb NAND Usando 70nm la Tecnología De Proceso - Nuevo Producto

Samsung Electronics ha desarrollado el primer 70nanometer del mundo (nanómetro) Memoria Flash de 4 (Gb) Gigabites NAND.

El destello de 4Gb NAND es el de cuarta generación de memoria Flash del NAND. El incremento de memoria Flash lo ha considerado el duplicar en densidad cada doce meses. Esta tendencia comenzó en 199 cuando la memoria 256Mb release/versión y fue seguida por 512Mb en 2000, 1Gb en 2001, 2Gb en 2002, y 4Gb en 2003. En los niveles de alta densidad, la memoria no volátil ahora está reemplazando cintas magnéticas y las unidades de disco duro de baja densidad por almacenamiento de datos de estado sólido. Los ahorros del espacio, del peso y de la potencia que el destello del NAND permite considerarán que utilizaron en aplicaciones movibles tales como PC del cuaderno, PC de la tablilla, microteléfonos movibles, jugadores MP3 y PDAs.

Memoria Flash del 4Gb NAND de Samsung tiene la talla de célula más pequeña de memoria de 0.025um2 debido a ella usando un diseño del nodo 70nm. Otra industria primero es una entrada del tungsteno de 300 angstromes, reducir resistencia de la inter-célula y los niveles de ruidos asegurando un rendimiento más alto en diseños de la memoria del multi-gigabit.

2 de octubre Asentadond 2003

Date Added: Oct 2, 2003 | Updated: Jun 11, 2013

Last Update: 11. June 2013 21:07

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