Mémoire Flash du NON-ET 4Gb Utilisant la Technologie De La Transformation 70nm - Produit Nouveau

Samsung Electronics a développé le premier 70nanometer du monde (nanomètre) Mémoire flash de NON-ET (Gb) de 4 Gigabits.

Le flash du NON-ET 4Gb est la quatrième génération de mémoire flash de NON-ET. L'accroissement de la mémoire flash l'a vu doubler dans la densité tous les douze mois. Cette tendance a commencé dans 199 quand la mémoire 256Mb a été relâchée et a été suivie de 512Mb en 2000, 1Gb en 2001, 2Gb en 2002, et 4Gb en 2003. Aux niveaux à haute densité, la mémoire non volatile remplace maintenant les bandes magnétiques et les lecteurs de disque dur à basse densité par le stockage de données semi-conducteur. L'épargne de l'espace, de grammage et d'alimentation électrique que le flash de NON-ET permet verra qu'elles ont utilisé dans des applications mobiles telles que le notebook PC, les PCs de tablette, les combinés mobiles, les Lecteurs MP3 et les PDA.

La mémoire flash de NON-ET du 4Gb de Samsung a la plus petite taille de cellules de mémoire de 0.025um2 dû à elle utilisant un design du noeud 70nm. Une Autre industrie est d'abord une porte de tungstène de 300 angströms, pour réduire la résistance d'inter-cellule et les niveaux sonores assurant une plus haute performance dans des designs de mémoire de multi-gigabit.

2 octobre Posténd 2003

Date Added: Oct 2, 2003 | Updated: Jun 11, 2013

Last Update: 11. June 2013 20:51

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