Memoria Flash di 4Gb NAND Facendo Uso 70nm di Tecnologia Della Trasformazione - Nuovo Prodotto

Samsung Electronics ha sviluppato il primo 70nanometer del mondo (nanometro) una Memoria flash di 4 (Gb) Gigabit NAND.

Il flash di 4Gb NAND è il della quarta generazione della memoria flash di NAND. La crescita della memoria flash lo ha veduto raddoppiarsi nella densità ogni dodici mesi. Questa tendenza ha cominciato in 199 quando la memoria 256Mb è stata rilasciata ed è stata seguita da 512Mb nel 2000, in 1Gb nel 2001, in 2Gb nel 2002 e in 4Gb nel 2003. Ai livelli ad alta densità, la memoria non volatile ora sta sostituendo i nastri magnetici ed i drive del hard disk a bassa densità con archiviazione di dati semi conduttrice. Lo spazio, il peso ed i risparmi di energia che il flash di NAND permette vederanno che loro hanno utilizzato nelle applicazioni mobili quali i Pc del taccuino, i Pc della compressa, i microtelefoni mobili, i Lettori MP3 e PDAs.

La memoria flash del 4Gb NAND di Samsung ha la più piccola dimensione delle cellule di memoria di 0.025um2 dovuto facendo uso di una progettazione di vertice 70nm. Un'Altra industria in primo luogo è un portone del tungsteno di 300 angstrom, diminuire la resistenza della inter cella ed i livelli acustici assicurando il rendimento elevato nelle progettazioni di memoria di multi-gigabit.

2 ottobre Inviatond 2003

Date Added: Oct 2, 2003 | Updated: Jun 11, 2013

Last Update: 11. June 2013 20:55

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