Memória Flash de 4Gb NAND Usando 70nm a Tecnologia de Processamento - Produto Novo

Samsung Electronics desenvolveu o primeiro 70nanometer do mundo (nanômetro) Memória Flash de um NAND (Gb) de 4 Gigabits.

O flash de 4Gb NAND é a quarta geração de memória Flash do NAND. O crescimento da memória Flash considerou-o dobrar na densidade cada doze meses. Esta tendência começou em 199 quando a memória 256Mb foi liberada e seguida por 512Mb em 2000, em 1Gb em 2001, em 2Gb em 2002, e em 4Gb em 2003. A níveis high-density, a memória permanente está substituindo agora bandas magnéticas e as movimentações de disco rígido de baixa densidade com o armazenamento de dados de circuito integrado. As economias do espaço, do peso e da potência que o flash do NAND permite considerarão que se usaram em aplicações móveis tais como PCes do caderno, PCes da tabuleta, os monofones móveis, os jogadores MP3 e os PDA.

A memória Flash do 4Gb NAND de Samsung tem o tamanho de pilha o menor da memória de 0.025um2 devido a ela que usa um projecto do nó 70nm. Uma Outra indústria é primeiramente uma porta do tungstênio de 300 ångströms, para reduzir níveis da resistência e de ruído da inter-pilha assegurando um desempenho mais alto em projectos da memória de multi-gigabit.

O 2 de outubro Afixadond 2003

Date Added: Oct 2, 2003 | Updated: Jun 11, 2013

Last Update: 11. June 2013 21:03

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