Флэш-память 4Gb NAND Используя 70nm Технологический Прочесс - Новый Продукт

Samsung Electronics начинал 70nanometer мира первое (nm) Флэш-память NAND (Gb) 4 Гигабит.

Вспышка 4Gb NAND четвертое поколение флэш-память NAND. Рост флэш-память видел, что он удваивает в плотности каждые 12 месяцев. Эта тенденция начала в 199 когда память 256Mb была выпущена и была следовать 512Mb в 2000, 1Gb в 2001, 2Gb в 2002, и 4Gb в 2003. На high-density уровнях, слаболетучая память теперь заменяет магнитные ленты и дисководы жесткого диска низк-плотности с полупроводниковым хранением данных. Сбережения космоса, веса и силы которым вспышка NAND позволяет увидят что они использовало в передвижных применениях как ПК тетради, ПК таблетки, передвижные телефонные трубки, игроки MP3 и PDAs.

Флэш-память 4Gb NAND Samsung имеет самый малый размер ячейки памяти 0.025um2 должного к ему используя конструкцию узла 70nm. Другая индустрия сперва строб вольфрама 300 ангстромов, уменьшить сопротивление взаимо--клетки и уровни шума обеспечивающ высокий класс исполнения в конструкциях памяти multi-гигабита.

Вывешенный 2-ое октябряnd 2003

Date Added: Oct 2, 2003 | Updated: Jun 11, 2013

Last Update: 11. June 2013 21:05

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this article?

Leave your feedback
Submit