使用 70nm 加工技术 - 新产品的 4Gb 与非闪存

三星电子开发了世界的第一个 70nanometer (nm) 4 吉比特 (Gb)与非闪存。

4Gb 与非闪光是第四代的与非闪存。 闪存增长看见它加倍在密度每十二个月。 此趋势在 199,当在 2000年 256Mb 512Mb 发行内存和跟随,在 2001年 1Gb,在 2002年 2Gb 在 2003年和 4Gb 开始了。 在高密度级别,固定存储器用固体数据存储现在替换磁带和低密度硬盘驱动器。 与非闪光允许的空间、重量和功率储蓄看见他们在移动应用使用了例如笔记本个人计算机、片剂个人计算机、移动手机、 MP3 播放器和 PDAs。

三星的 4Gb 与非闪存有 0.025um 的最小的存储单元范围2 由于它使用 70nm 节点设计。 另一个行业首先是 300 埃钨门,减少相互细胞阻力和噪声级保证在多吉比特内存设计的高性能。

张贴 2003年 10月nd 2日

Date Added: Oct 2, 2003 | Updated: Jun 11, 2013

Last Update: 11. June 2013 20:46

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