使用 70nm 加工技術 - 新產品的 4Gb 與非閃存

三星電子開發了世界的第一个 70nanometer (nm) 4 吉比特 (Gb)與非閃存。

4Gb 與非閃光是第四代的與非閃存。 閃存增長看見它加倍在密度每十二個月。 此趨勢在 199,當在 2000年 256Mb 512Mb 發行內存和跟隨,在 2001年 1Gb,在 2002年 2Gb 在 2003年和 4Gb 開始了。 在高密度級別,固定存儲器用固體數據存儲現在替換磁帶和低密度硬盤驅動器。 與非閃光允許的空間、重量和功率儲蓄看見他們在移動應用使用了例如筆記本個人計算機、片劑個人計算機、移動手機、 MP3 播放器和 PDAs。

三星的 4Gb 與非閃存有 0.025um 的最小的存儲單元範圍2 由於它使用 70nm 節點設計。 另一個行業首先是 300 埃鎢門,減少相互細胞阻力和噪聲級保證在多吉比特內存設計的高性能。

張貼 2003年 10月nd 2日

Date Added: Oct 2, 2003 | Updated: Jun 11, 2013

Last Update: 11. June 2013 20:48

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