从 Bruker 的多重状态的闭合电路扫描程序

事宜列表

背景
多重状态的闭环扫描程序
说明

背景

多重状态的闭环扫描程序添加准确性和便利到传奇性能和通用性多重状态。

  • 评定准确性和大扫描范围
  • 请容易地放大苛求地区利益
  • 准确 “点和射击”强制曲线和强制数量评定
  • 与选项 NanoMan 软件的精确度 nanolithography

多重状态的闭环扫描程序

多重状态的闭环扫描程序给多重状态带来闭环控制准确性和精确度。 您不再需要选择在提供封闭式回路的准确性和便利 SPM 提供超离频的解决方法想象的和一个之间。 模块设计多重状态使容易切换在常规使用的一个闭环扫描程序和超离频的解决方法工作的一个开放环路的扫描程序之间。 另外,您将享有在 SPM 技术使多重状态性能领导先锋的同一易用、可靠性和技术支持。

闭环控制提供想象应用和强制评定应用的一定数量的福利,以及启用准确的 nanolithography 和纳诺处理。 不仅是想象更加准确的,但是也是更加方便的,因为您能正确地迅速移动和浏览您希望的地方。 对强制评定,有闭环控制使容易瞄准特定区域或结构使用我们的 “点和射击”功能或进行在明确定义的区的强制数量或纳诺凹进列阵。 当然并且 nanolithography 和纳诺处理确实需求封闭式回路提供的准确性为了取得优质结果。 

多重状态的闭环扫描程序提高多重状态的非常好的名誉在性能、生产率、可靠性和易用上。

图 1. : Celgard 膜的 TappingMode 图象, 1.5μm 扫描权利: 连接线条胶原的 TappingMode 图象, 2.5μm 扫描

图 2. : TappingMode 高度图象的软盘, 100μm 扫描权利: MFM 在 LiftMode 采取的同一区的阶段图象

图 3. : TappingMode EFM 测试范例的高度图象, 11μm 扫描权利: EFM 在 LiftMode 采取的同一区的阶段图象。 中心电极比二个外面电极被暂挂了在不同的电压偏心。

说明

  • 支持的配置多重状态与 NanoScope V 管理员。
  • X - Y 扫描的范围: 100 μm, Z : 15 μm
  • X - Y 传感器的噪声: <2 nm RMS, Z : <0.4 nm RMS
  • X - Y 线性的错误: <0.05%, Z : <0.05%
  • TappingMode 噪声测试 <1 与隔振的 Å RMS
  • 支持的模式联络, TappingMode,阶段, LFM,
  • 扭转力共鸣, MFM,强制
  • 分光学,强制数量,强制
  • 模块化, EFM1,表面潜在1
  • Nanomanipulation 和 Nanolithography
  • 支持与选项软件。 注意:
  • 没建议使用的可变的想象。
  • 应用程序模块 SCM1,金枪鱼1, SSRM1, CAFM1

1. 必须通过 NanoScope V 面板连接范例偏心外部。 注意: 性能 specifcations 不预先通知是典型和随时变化。

此信息是来源,复核和适应从 Bruker 纳诺表面提供的材料。

关于此来源的更多信息请参观 Bruker 纳诺表面

Date Added: Apr 24, 2008 | Updated: Jan 23, 2014

Last Update: 23. January 2014 11:03

Ask A Question

Do you have a question you'd like to ask regarding this article?

Leave your feedback
Submit