從 Bruker 的多重狀態的閉合電路掃描程序

事宜列表

背景
多重狀態的閉環掃描程序
說明

背景

多重狀態的閉環掃描程序添加準確性和便利到傳奇性能和通用性多重狀態。

  • 評定準確性和大掃描範圍
  • 请容易地放大苛求地區利益
  • 準確 「點和射擊」強制曲線和強制數量評定
  • 與選項 NanoMan 軟件的精確度 nanolithography

多重狀態的閉環掃描程序

多重狀態的閉環掃描程序給多重狀態帶來閉環控制準確性和精確度。 您不再需要選擇在提供封閉式回路的準確性和便利 SPM 提供超離頻的解決方法想像的和一个之間。 模塊設計多重狀態使容易切換在常規使用的一個閉環掃描程序和超離頻的解決方法工作的一個開放環路的掃描程序之間。 另外,您將享有在 SPM 技術使多重狀態性能領導先鋒的同一易用、可靠性和技術支持。

閉環控制提供想像應用和強制評定應用的一定數量的福利,以及啟用準確的 nanolithography 和納諾處理。 不僅是想像更加準確的,但是也是更加方便的,因為您能正確地迅速移動和瀏覽您希望的地方。 对強制評定,有閉環控制使容易瞄準特定區域或結構使用我們的 「點和射擊」功能或進行在明確定義的區的強制數量或納諾凹進列陣。 當然并且 nanolithography 和納諾處理確實需求封閉式回路提供的準確性為了取得優質結果。 

多重狀態的閉環掃描程序提高多重狀態的非常好的名譽在性能、生產率、可靠性和易用上。

圖 1. : Celgard 膜的 TappingMode 圖像, 1.5μm 掃描權利: 連接線條膠原的 TappingMode 圖像, 2.5μm 掃描

圖 2. : TappingMode 高度圖像的軟盤, 100μm 掃描權利: MFM 在 LiftMode 採取的同一區的階段圖像

圖 3. : TappingMode EFM 測試範例的高度圖像, 11μm 掃描權利: EFM 在 LiftMode 採取的同一區的階段圖像。 中心電極比二個外面電極被暫掛了在不同的電壓偏心。

說明

  • 支持的配置多重狀態與 NanoScope V 管理員。
  • X - Y 掃描的範圍: 100 μm, Z : 15 μm
  • X - Y 傳感器的噪聲: <2 nm RMS, Z : <0.4 nm RMS
  • X - Y 線性的錯誤: <0.05%, Z : <0.05%
  • TappingMode 噪聲測試 <1 與隔振的 Å RMS
  • 支持的模式聯絡, TappingMode,階段, LFM,
  • 扭轉力共鳴, MFM,強制
  • 分光學,強制數量,強制
  • 模塊化, EFM1,表面潛在1
  • Nanomanipulation 和 Nanolithography
  • 支持與選項軟件。 注意:
  • 沒建議使用的可變的想像。
  • 應用程序模塊 SCM1,金槍魚1, SSRM1, CAFM1

1. 必須通過 NanoScope V 面板連接範例偏心外部。 注意: 性能 specifcations 不預先通知是典型和隨時變化。

此信息是來源,覆核和適應從 Bruker 納諾表面提供的材料。

關於此來源的更多信息请請參觀 Bruker 納諾表面

Date Added: Apr 24, 2008 | Updated: Jan 23, 2014

Last Update: 23. January 2014 11:05

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