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Hintergrund
Gruppe III-Nitride und ihre Legierungen sind die vielversprechendsten Materialien für kurzwelliges optoelektronischen Bauelementen wie LEDs, Laser Injektion, Photodetektoren, Vollfarbdisplays und elektronische Geräte wie HFETs, HEMTs, etc. Für ihre Gestaltung und Optimierung eine detaillierte Kenntnisse sowohl die Schichtdicke und die optischen Eigenschaften sind unerlässlich. Ellipsometrie ist eine zerstörungsfreie optische Charakterisierung Methode, die Bestimmung dieser benötigte Material Parameter erlaubt.
Materialien
Ein typisches AlGaN / GaN-Heterostruktur wie für LEDs und Transistoren verwendet wird in Abbildung 1 dargestellt.
AlGaN 0,2-1 um |
GaN 1-2 um |
Saphir-Substrat |
Abbildung 1. Typische AlGaN / GaN-Heterostruktur
Die GaN und AlGaN Filme wurden von MOCVD (metallorganische chemische Gasphasenabscheidung) auf Saphir-Substraten aufgebracht.
Die folgenden Proben wurden analysiert.
Tabelle 1. Analysis Proben
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Date Added: May 21, 2008
Last Update: 13. October 2011 02:30
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