Buy a new FL3-22 spectrofluorometer and get a DeltaTime TCSPC upgrade for half price

There are 2 related live offers.

DeltaTime TCSPC Half Price | Horiba - DeltaTime - 20% Off | See All
Related Offers

Характеризация Транзисторов Тонкого Фильма и Индикаторных Панелей Кремния TFT-LCD Низкой Температуры Поли Спектроскопическим Ellipsometry Используя Оборудование От Horiba Научного - Тонкий Фильм

Покрытые Темы

Предпосылка
Экспириментально
Характеризация Панелей -Si
Характеризация Панелей LTPS
Толщина и Оптически Определение Констант
Определение Размера Зерна p-Si
Заключение

Предпосылка

Тонкопленочные транзисторы (TFT) которые управляют индивидуальными клетками в overlying слое жидкостного кристалла в традиционных дисплеях активн-матрицы сформированы от аморфического кремния (-Si) депозированного на стеклянном субстрате. Преимущество использования аморфического кремния что оно не требует высоких температур, настолько справедливо недорогое стекло можно использовать как субстрат. Недостаток что некристаллическая структура барьер к быстрому движению электрона, требуя мощные сети водителя.

Раньше дальше в исследовании плоского экрана что кристаллическое или поликристаллическое (промежуточный кристаллический состоять из этапа много малый ый кристалл) кремния будут очень более желательным веществом, котор нужно использовать. Несчастливо, это смогло только быть создано на очень высоких температурах (над 1000°C), требующ пользы кварца или специального стекла как субстрат. Однако, в конец 90-х годов изготовлять выдвижения позволил развитию низкотемпературных дисплеев polysilicon (p-Si) TFT, сформированных на температурах вокруг 450°C. Первоначально, эти были использованы обширно в приборах которые требовали только малых дисплеев, как репроекторы и цифровой фотокамера.

Один из самых больших элементов издержек в стандартной панели TFT внешние сети водителя которые требуют большое количество внешних соединений от стеклянной панели по мере того как каждый пиксел имеет свое собственное соединение к сетям водителя. Это требует дискретных обломоков логики аранжированных на PCBs вокруг периферии дисплея, ограничивая размер окружающего кожуха. Главная привлекательность технологии p-Si что увеличенная эффективность транзисторов позволяет сетям водителя и периферийной электронике, котор нужно сделать неотъемлемой частью дисплея. Это значительно уменьшает число компонентов для индивидуального дисплея. Технология произведет более тонкие, более яркие панели с более лучшими факторами контрастности, и позволяет более большим панелям быть помещенным в существующие кожухи.

Экспириментально

Характеризации без разрушения -Si и панелей Кремния TFT-LCD Низкой Температуры Поли успешно были унесены спектроскопическое ellipsometry. Ellipsometric данные были собраны под углом падения 70° через eV спектрального ряда 1.5-5 используя ellipsometer Horiba Научное UVISEL спектроскопическое.

Спектроскопическое ellipsometry было использовано для того чтобы характеризовать и толщины и оптически константы приборов TFT-LCD. Сверх Того размер зерна материалов p-Si было расследованным при изучении. Оптически константы материалов кремния зависят сильно на отростчатых условиях.

Оптически свойства аморфических слоев кремния вообще высчитаны используя Tauc Lorentz или новую аморфическую дисперсионную зависимость включенные в архиве материалов ПО DeltaPsi2.

Поли кристаллические слои часто моделированы смесью c-Si и -Si используя Эффективное Средств Приближение. Оно позволяет определить материальный состав внутри слоя и следовательно кристалличности.

Характеризация Панелей -Si

3 слоя кремния и верхней родной окиси были используемым тарифом toion (HDR/LDR), и данными допинг материалами -Si.


Диаграмма 1. Характеризация панелей á-Si

Характеризация Панелей LTPS

Толщина и Оптически Определение Констант

Модель ниже была использована для того чтобы характеризовать прибор LTPS. Дисплей LTPS TFT-LCD использует технологию отжига лазера для того чтобы произвести сильно кристаллические фильмы кремния.

Несколько экспериментов были унесены на различной силе лазера. Перенос в оптически константы наблюдался показать что кристалличность увеличивает против силы лазера.

Диаграмма 2. Иллюстрация силы лазера

Диаграмма 3. Иллюстрация силы лазера

Определение Размера Зерна p-Si

Размер зерна p-Si может быть высчитан следующей формулой:

Ã: расширяя параметр

d: размер зерна

Диаграмма 4. Расширяя параметр против обратного размера зерна

От этой формулы 9 образцов обрабатываемых 0Nс увеличением кривыми выставки 2 силы лазера отчетливо различными. Голубая кривый представляет хорошие параметры процесса для хорошей кристалличности слоев LTPS; годный к употреблению интервал энергии силы лазера относительно широок. Розовая кривый ясно иллюстрирует что над оптимальной энергией, размер зерна падает остро.

Графики ниже показывают превосходную корреляцию между Raman и спектроскопическими ellipsometry методами для характеризовать кристалличность образцов.

 

Диаграмма 5. зона Диапазона Спектра Raman

опишите точно прибор. Чувствительность ellipsometry метода позволяет характеризации материалов с подобными оптически константами (вокруг 0,1), как те показанные повсюду залемью

 

Диаграмма 6. Кристалличность Против Силы Лазера

Заключение

Спектроскопическое ellipsometry превосходный метод для сильно точной характеризации индикаторных панелей TFT-LCD основанных на технологиях -Si и LTPS. Вследствие чувствительности ellipsometer UVISEL спектроскопического и предварительных моделируя характеристик включенных в ПО DeltaPsi2 возможно обнаружить в слоях multistack различных -Si обрабатываемых различными методами. Сверх Того спектроскопические ellipsometry измерения позволяют определению размера зерна фильмов p-Si и иллюстрируют способность характеризовать кристалличность кремния с высокой точностью.

Источник: Horiba Научное - Разделение Тонких Фильмов

Для больше информации на этом источнике пожалуйста посетите Horiba Научное - Разделение Тонких Фильмов

Date Added: May 26, 2008 | Updated: Jun 11, 2013

Last Update: 13. June 2013 21:23

Ask A Question

Do you have a question you'd like to ask regarding this article?

Leave your feedback
Submit