在 Nanoscale 的形象化的和操作的磁化使用從 NT-MDT 的 NTEGRA 儀器

包括的事宜

背景
簡介
增加磁性強制顯微學的區分和解決方法
選擇正確的探測
沒有磁性零件的掃描程序
外場應用
許多通過技術
高溫範例 MFM

背景

NT-MDT Co. 在 1991年被設立了以這個目的運用所有被累計的經驗和知識在領域的納米技術於用品研究員有適當的儀器的解決放置在毫微米縮放比例維數的所有可能的任務。 這家公司 NT-MDT 在 Zelenograd - 俄國微電子學的中心被創辦了。 產品開發在 MEMS 技術的現代軟件的組合,對高端微電子學要素的功率,使用和精確度機械零件基礎上。 商業企業 NT-MDT Co. 從 1993年存在。

簡介

現今納米技術調查的最有為的域是納諾被稱的對象局部磁化評定。 超稀薄的塗磁膠片的調查使成為可能增加十倍存貯設備的能力; 創建將導致基本上與 「在一個唯一籌碼執行的讀/寫/保存」進程的 spintronics 要素,磁致伸縮的新的估計發展可能是有用的為 nanoelectronic 設備建築。

磁性強制顯微學准許形象化和操作十毫微米解決方法的磁化。

有優質 MFM 六精華:

1. 增加的區分由於真空環境
2. 探測的適當的選擇
3. 沒有磁性零件的掃描程序 (外場不阻礙想像)
4. 準確外場應用
5. 靜電和其他的許多通過報酬影響
6. 更改在 MFM 評定期間的準確的溫度

增加磁性強制顯微學的區分和解決方法

有幾個方式增加磁性強制顯微學的區分和解決方法。 最容易一個在低真空環境安置這個測量系統 (範例、掃描程序和註冊系統)。 例如, NTEGRA® 氣氛導致-2 是足够階段對比十倍的增長的在二路式的動態 MFM 的 10 乇真空。 但是在這種情況下, 「信號/噪聲」比例獲取五倍。 高真空 (10-6 乇) 准許增加極大,但是比較與這個區別是可忽略的低真空的區分。

航空

真空

圖 1. 硬盤表面 MFM 圖像在真空得到的在自由流通的空氣和。 兩個圖像是 1x1 µm

圖 2. 磁域結構超稀薄的鈷影片 (1.6 µm) 4.5 x 4.5 µm。 範例由 A. Maziewski, Uniwersytet w Bialymstoku,波蘭博士提供了

選擇正確的探測

探測質量是影響 MFM 解決方法和區分的另一個重要因素。 磁性塗層應該是技巧的適當的厚度的技巧可能 「感覺」範例的磁引力。 但是這個技巧應該同時是足够鋒利的提供高空間分辨率。 NT-MDT 提供 AFM 與技巧的 CoCr 磁性塗層的硅探測磁性評定的。 哥斯達黎加保護磁性層免受這種氧化作用。 塗層的厚度是 30-40 毫微米。

沒有磁性零件的掃描程序

對於那些磁性作用的調查應用外部磁場於這個範例是必要的。 通常,它造成某些困難,當正常 SPM 集成可能被磁化的有些詳細資料。 作為這個結果,所有外場評定導致 AFM 圖像的畸變。 NT-MDT 解決此問題其磁性評定的第一個設備的 Co. (1998) 把特殊設計掃描程序沒有磁性零件。

但是公司今天提供全新的設備 - NTEGRA nanolaboratory 平臺 - 有評定的頂頭和基本單位由無磁性的材料製成。 那准許避免探測班次,當切換開/關磁場時。 掃描程序裝備執行 piezoceramics 班次更正并且完全提供準確探測確定的接近的循環控制傳感器。

外場應用

這個外部磁場由平行適用可能和垂直方式瀏覽表面。 NTEGRA nanolaboratory 的功能准許應用這個外部磁場至 +/-0.2 無格式的 T 表面和 +/-0.02 T 用垂直方式 (垂直的域)。

使用縱向磁場生成器

使用橫向磁場生成器

在 NTEGRA 平臺基本類型的圖 3. SPM 系統評定的在外部磁場

縱向磁場生成器供創建磁場朝向的無格式使用這個範例。 生成器包括與磁性電匯的扣人心弦的捲。 與縮放比例範圍的霍爾探測器至 2 kgauss 被安裝一致電匯杆為了評定磁場值。

垂直的磁場生成器供磁場正常的創建使用對這個範例的艙內甲板的。 它包括與砌入霍爾探測器的扣人心弦的捲與 500 高斯的縮放比例範圍和範例持有人。

圖 4. 釔亞鐵石榴石影片在垂直的磁場面前的。 表面 90 的同一個部分的圖像? 90 µm。 範例由 F.V.Lisovskiy, Radioelectronic 學院,俄羅斯教授提供。

許多通過技術

有幾個方式執行靜電和地勢影響的報酬,在 Figue 5. 存在。

圖 5。 nanoelectronic 要素的三通過磁性評定模式

对擁有所有靜電潛在的範例在一個會議上應該執行幾通過。 在這個模式是與 nanoelectronic 要素的磁化的一個實驗:

  • 第 1 通過顯示地勢;
  • 第 2 個與補償的地勢影響的通過顯示表面潛在;
  • 與靜電補償的潛在和地勢的第 3 通過顯示磁化。

高溫範例 MFM

在 MFM 期間,範例溫度可以被更改。

圖 6. 鈷單晶體的 MFM 圖像與單軸的各向異性現象的。 當溫度增加,相變發生。 從同一區得到的圖像, 14 x 40 µm。 抽樣 A.G. Pastushenkov, Tver 大學,俄羅斯教授禮貌。

來源:NT-MDT Co。

關於此來源的更多信息请請參觀 NT-MDT Co。

Date Added: Oct 27, 2008 | Updated: Jun 11, 2013

Last Update: 13. June 2013 20:49

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