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커버되는 토픽
배경
소개
견본의 준비 그리고 특성
MFM 쓰기와 독서 프로세스를 좌우하는 요인
배경
NT-MDT Co.는 나노미터 가늠자 차원에서 놓는 어떤 가능한 업무든지 해결하게 계기를 가진 공급 연구원에게 나노 과학의 필드에 있는 모든 누적된 경험 그리고 지식을 적용하는 목적에 1991년에 설치되었습니다. 회사 NT-MDT는 Zelenograd - 러시아 마이크로 전자공학의 센터에서 설립되었습니다. 제품 개발은 MEMS 기술의 조합, 현대 소프트웨어의 힘, 상한 마이크로 전자 공학 분대의 사용 및 정밀도 기계적인 부속에 근거를 둡니다. 영리 기업 NT-MDT Co.가 1993년에서 존재한 대로.
소개
진공 SPM의 사용은 자석과 정전기 상호 작용 몸의 접촉이 없는 측정의 감도를 중요하게 향상합니다. 강화된 감도는 진공 환경에서 공가 질 요인 (Q 요인)의 증가 달성된 때문이.
Q 요인은 10 torr 이하 forvacuum 펌프 방법에 의하여 조차 성취 할 수 있는-1 압력으로 매우 10 시간에서 증가합니다. 그러나 뒤에 오는 진공 수준 groth 후에 공가 Q 요인은 천천히 변경합니다.
NT-MDT의 장비 해결자 HV와 NTEGRA 기운은 10 torr 이하 압력의 밑에 진공에 있는 측정을 실행하는 것을-1 허용합니다.
견본의 준비 그리고 특성
뒤에 오는 실험에서 이용된 견본은 강자성 뒤에 오는 매개변수의 입자에 의하여 명령된 소집입니다: ~35-40 nm 직경, 120 nm 기간, 고도 7 nm (숫자를 보십시오. 1). 그런 소집은 수직 자석 이방성을 가진 7개 nm 고도의 CoPt 필름에 전자빔 석판인쇄술에 의해 했습니다.
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숫자 1. 견본의 SEM 심상
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숫자 2. 견본의 MFM 심상
숫자 2는 1 통행 기술, 그것에 의해 장악된 견본 MFM 심상을 MSM 심상을 얻는 것을 허용합니다 직후에 첫번째 통행 보여줍니다. 이러한 목적으로 자석 측정은 피드백 제어 없이 특정 Z 스캐너 위치에 실행됩니다. (첫번째 통행 도중 지세 측정 및 두번째 통행 도중 장거리 상호 작용을 포함하는) 표준 2 통행 방법이 있습니다. 1 통행 기술의 이점은 스캐닝 도중 끝 견본 접촉, 그것 결핍 감소시킵니다 내키지 않는 역분개 자화의 확율을입니다. 따라서 견본 사면의 예비적인 조정은 그 같은 기술에 필요하, Y 위치 다른 X에 끝 견본 별거에 있는 다름을 감소시키기 위하여 입니다. 이것은 맨 위 다리 조정을 측정해서 쉽게 행해질 수 있습니다.
숫자 3에서 끝과 견본 사이 다른 거리에 주어진 MFM 심상을 볼 수 있습니다. 숫자 2에 있는 밝은 반점은 반발작용 군대에 끝 자화 방향이 자석 입자의 것의 반대 편에 일 때, 대응합니다. 짙은 반점은 끝 자기 모멘트와 동일 방향에서 맞추어진 자화와 입자의 가까이에 매력 군대에 대응합니다.
MFM 쓰기와 독서 프로세스 좌우 요인
MFM 쓰기와 독서 프로세스를 좌우하는 가장 중요한 매개변수는 끝에 자석 층의 끝 견본 별거 그리고 간격입니다. 너무 두껍게 끝에 자석 층 또는 너무 작은 끝 견본 거리는 억제되지 않는 자석 역분개로 이끌어 냅니다. 다른 한편으로는, 너무 끝 층을 엷게 하거든 시스템이 너무 큰 끝 견본 거리에 의하여 쓰기를 위해 부적한 시킵니다.
숫자 3은 이 상황을 명확하게 설명합니다. 50 nm CoCr 합금 필름에 의해 엄호된 외팔보는 쉽게 입자의 자성 상태를 전환합니다: 스캐닝 도중 반발작용은 몇몇 입자 (FIG. 3a)에 매력이 됩니다. (느린 스캐닝은 실행한 상향식이었습니다) 증가시킨 끝 견본 거리는 검사로 전환 없이 이끌어 냅니다, 그러나, 이 경우에는 마지막 심상의 해결책은 빈약합니다 (FIG. 3b).
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다른 끝 견본 거리에 장악되는 숫자 3. MFM 그림
조금씩 조금씩 쓰기 실행하기 위하여는, 견본은 끝 자화의 반대 편에 방향에서 예비적으로 자력을 띠게 했습니다. 다음 MFM 심상 쇼 반발작용만.
끝에 의하여 입자 자화의 지배할 수 있는 엇바꾸기의 계획은 FIG. 4.에서 보입니다. 견본에 입자 자기 모멘트의 현지 변경은 접근하는에 의해 자석 끝 실행됩니다. 자석 역분개는 끝의 현지 자기장이 입자 coercitivity를 초과할 때 생깁니다. 결과는 가벼운 배경 (반발작용)에 짙은 반점 (매력)로 MFM 심상에 눈에 보입니다. 따라서 데이터 쓰기는 특정 입자 자석 역분개에 의해 실행됩니다. 데이터 독서는 1 통행 스캐닝에 의해 능력을 발휘합니다.
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자석 쓰기의 숫자 4. 계획
끝 자석 층 간격의 주의깊은 이음쇠 후에 CoCr 합금의 30개 nm 층은 지배할 수 있는 현지 자석 엇바꾸기를 위해 가장 것과 같이 찾아냈습니다.
결과 시험 목적을 위해 결의가 굳은 위치에서 있는 4개의 개별적인 입자는 그 같은 끝 (FIG. 5)에 의해, 전환되었습니다. 이 실험은 진공에서 실행된 nano 오른 입자 읽기/쓰기 프로세스의 높은 신뢰도 그리고 감도를 보여줍니다.
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명령된 자석 입자 소집에 있는 숫자 5. 지배할 수 있는 엇바꾸기
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근원: NT-MDT Co.
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