Магнитное Рединг и Процессы Сочинительства с Микроскопией Зонда Скеннирования Вакуума NT-MDT

Покрытые Темы

Предпосылка
Введение
Подготовка и Характеризация Образца
Факторы Влияя На Сочинительство MFM и Процессы Рединга

Предпосылка

CO. NT-MDT было установлено в 1991 с целью приложить все аккумулированные опыт и знание в поле нанотехнологии к исследователям поставкы с аппаратурами соответствующими для того чтобы разрешить любую возможную задачу кладя в размеры маштаба нанометра. Компания NT-MDT была основана в Zelenograd - центре Русской Микроэлектроники. Совершенствований продукции основан на сочетание из технология MEMS, сила самомоднейшего ПО, польза лидирующих микроэлектронных компонентов и части точности механически. По Мере Того Как CO. коммерсанта NT-MDT существует от 1993.

Введение

Польза вакуума SPM улучшает чувствительность измерений магнитных и электростатических взаимодействий внеконтактных значительно. Увеличенная чувствительность достиганные должные к увеличивать консольного фактора качества (Q-Фактора) в окружающей среде вакуума.

Q-Фактор увеличивает в больше чем 10 временах на давлении под 10-1 торр., которое достижимо даже серединами насоса forvacuum. Но после следующего groth уровня вакуума консольный Q-Фактор изменяет медленно.

Аура HV и NTEGRA Решителя оборудования NT-MDT позволяет унести измерения в вакууме под давлением под 10-1 торр.

Подготовка и Характеризация Образца

Образец используемый в следующих экспериментах сегнетомагнитными блок приказанный частицами следующих параметров: ~35-40 диаметр nm, период 120 nm, высота 7 nm (см. Диаграмму. 1). Такой блок был сделан литографированием луча электронов на фильме Копта 7 высот nm с перпендикулярной магнитной неизотропностью.

Диаграмма 1. изображение SEM образца

Диаграмма 2. изображение MFM образца

На Диаграмму 2 показано изображение образца MFM полученное методом одн-пропуска, тем позволяет приобрести изображение MSM прямо после первый пропуск. В этой цели магнитные измерения выполнены на некотором положении Z-Блока развертки без управления обратной связи. (Стандартный двух траекторный метод, который включает измерения топографии во время первого пропуска и длиннорейсовое взаимодействие во время второго пропуска). Преимущество метода одн-пропуска отсутствие контакта подсказк-образца, того уменьшает вероятность неохотного замагничивания реверсирования во время скеннирования. Таким Образом предварительная регулировка наклона образца необходима для такого метода, для уменьшения разницы в разъединении подсказк-образца на различный X, Y-Положение. Это может легко быть сделано путем измерять головную регулировку ног.

В Диаграмме 3 вы можете увидеть изображение MFM приобретенное на различном расстоянии между подсказкой и образцом. Светловины в Диаграмме 2 соответствуют к усилию отталкиванием, когда направление замагничивания подсказки напротив одной из магнитной частицы. Темные пятна соответствуют к усилию привлекательности около частиц при замагничивание выровнянное в таком же направлении как момент подсказки магнитный.

Факторы Влияя На Сочинительство MFM и Процессы Рединга

Самые важные параметры влияя на процессы сочинительства и чтения MFM разъединение подсказк-образца и толщина магнитного слоя на подсказке. Слишком толщиной магнитный слой на подсказке или слишком малое расстояние подсказк-образца водят к бесконтрольный магнитному реверсированию. С другой стороны, слишком утончьте слой подсказки или слишком большое расстояние подсказк-образца делает систему неподобающе для писания.

Диаграмма 3 демонстрирует эту ситуацию ясно. Cantilever покрытый фильмом CoCr-сплава 50 nm легко переключает магнитное положение частиц: во время скеннирования отталкивание будет привлекательностью на некоторых частицах (FIG. 3a). (Медленная скеннирование была унесенное вверх ногами) Увеличенное расстояние подсказк-образца водит к просматривать без переключать, однако, в этот случай разрешение окончательного изображения плох (FIG. 3b).

Диаграмма 3. изображения MFM полученные на различном расстоянии подсказк-образца

Для того чтобы выполнить сочинительство бит--бита, образец предварительн был намагничен в направлении напротив замагничивания подсказки. После Этого отталкивание выставок изображения MFM только.

Схема controllable переключения замагничивания частицы подсказкой показана в FIG. 4. Местные изменения момента частицы магнитного унесены магнитной подсказкой причаливая к образцу. Магнитное реверсирование происходит когда местное магнитное поле подсказки превышает coercitivity частицы. Результат видим на изображении MFM как темные пятна (привлекательность) на светлой предпосылке (отталкивании). Таким Образом сочинительство данных унесено реверсированием некоторых частиц магнитным. Чтение Данных выполнено скеннированием одн-пропуска.

Диаграмма 4. Схема магнитного сочинительства

После тщательного штуцера толщины слоя подсказки магнитной 30 слоев nm CoCr-сплава был найден как само соответствующе для controllable местного магнитного переключения.

Для цели испытания результата 4 индивидуальных частицы устроенной в решительно положениях, были переключены такой подсказкой (FIG. 5). Этот эксперимент показывает что высокие надежность и чувствительность nano-вычисленных по маштабу прочитанных частиц/пишут процессы выполненные в вакууме.

Диаграмма 5. Controllable переключение в приказанном блоке магнитных частиц

Полный набор справок доступен ссылался к исходному документу.

Источник: CO. NT-MDT.

Для больше информации на этом источнике пожалуйста посетите CO. NT-MDT.

Date Added: Oct 27, 2008 | Updated: Jun 11, 2013

Last Update: 13. June 2013 21:23

Ask A Question

Do you have a question you'd like to ask regarding this article?

Leave your feedback
Submit