与真空扫描探测显微学的磁性读数和文字进程 (SPM)由 NT-MDT

包括的事宜

背景
简介
范例的准备和描述特性
影响 MFM 文字和读数进程的系数

背景

NT-MDT Co. 在 1991年被设立了以这个目的运用所有被累计的经验和知识在领域的纳米技术于用品研究员有适当的仪器的解决放置在毫微米缩放比例维数的所有可能的任务。 这家公司 NT-MDT 在 Zelenograd - 俄国微电子学的中心被创办了。 产品开发在 MEMS 技术的现代软件的组合,对高端微电子学要素的功率,使用和精确度机械零件基础上。 商业企业 NT-MDT Co. 从 1993年存在。

简介

使用真空 SPM 极大改进磁性和静电交往没有接触的评定区分。 改进的区分达到的归结于增加悬臂式质量因素 (Q 系数) 在真空环境里。

Q 系数在超过 10 次内增加以压在 10-1 乇以下,甚而通过 forvacuum 泵平均值是可达成的。 但是在下列真空级别 groth 以后悬臂式 Q 系数迟缓地更改。

NT-MDT 的设备解难题者 HVNTEGRA 气氛准许执行在真空的评定在压下在 10-1 乇以下。

范例的准备和描述特性

用于下列实验的这个范例是铁磁微粒下列参数的被定购的: ~35-40 毫微米直径, 120 毫微米期间,高度 7 毫微米 (参见图。 1). 这样列阵由电子束光刻做在 7 个毫微米高度哥普特人影片与垂直磁性各向异性现象的。

图 1. 范例 SEM 图象

图 2. 范例 MFM 图象

图 2 显示一遍的技术得到的范例 MFM 图象,那准许获取 MSM 图象,在第一通过之后。 为此磁性评定进行在某一 Z 扫描程序位置,不用反馈控制。 (有标准二路式的方法,包括地势评定在第一通过期间和远程交往在第二通过期间)。 在扫描期间,一遍的技术的好处是缺乏技巧范例联络,那减少不愿意的冲销磁化的概率。 因而范例倾斜的初步的调整为这样技术是必要的,为了减少在技巧范例分隔上的区别在另外 X, Y 位置。 这可以由评定顶头行程调整容易地完成。

在表 3 您能看到 MFM 图象被获取在技巧和范例之间的另外距离。 当技巧磁化方向是相对于那个磁性粒子时,明亮的地点在表 2 对应于厌恶强制。 黑点对应于吸引力强制在微粒附近与在方向对齐的磁化和技巧磁矩一样。

影响 MFM 文字和读数进程的系数

影响 MFM 文字和读数进程的最重要的参数是技巧范例磁性层的分隔和厚度在这个技巧的。 太浓厚在这个技巧的磁性层或太小的技巧范例距离导致未管制的磁性冲销。 另一方面,也请变薄技巧层或太大技巧范例距离使系统不合适为写。

图 3 明显地展示此情形。 50 nm CoCr 合金影片包括的悬臂容易地切换微粒磁性状态: 在扫描期间厌恶成为在有些微粒 (图 3a) 的吸引力。 (缓慢的扫描是被执行的自下向上的) 增加的技巧范例距离导致浏览,无需切换,然而,在这种情况下最终图象的解决方法是差的 (图 3b)。

图 3. MFM 照片得到在另外技巧范例距离

为了进行逐渐写,这个范例在方向初步被磁化相对于技巧磁化。 然后仅 MFM 图象显示厌恶。

微粒磁化可控制的切换模式由技巧的在图 4. 显示。 微粒磁矩的局部更改由处理磁性的技巧执行对这个范例。 当这个技巧的局部磁场超出微粒 coercitivity,磁性冲销发生。 这个结果是可视的在 MFM 图象作为黑点 (吸引力) 在轻的背景 (厌恶)。 因而数据文字由某些微粒磁性冲销执行。 数据读数由一遍的扫描执行。

图 4. 磁性文字模式

在技巧磁性层厚度以后仔细配件 CoCr 合金 30 块毫微米层被找到如适用于可控制的局部磁性切换。

对于结果测试目的位于确定的位置的四个各自的微粒,由这样技巧 (图 5) 切换。 此实验显示在真空进行的纳诺被称的微粒读/写进程高可靠性和区分。

图 5. 在被定购的磁性粒子列阵的可控制的切换

参考一个完整集是可用的是指源文档。

来源:NT-MDT Co。

关于此来源的更多信息请参观 NT-MDT Co。

Date Added: Oct 27, 2008 | Updated: Jun 11, 2013

Last Update: 13. June 2013 20:46

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