與真空掃描探測顯微學的磁性讀數和文字進程 (SPM)由 NT-MDT

包括的事宜

背景
簡介
範例的準備和描述特性
影響 MFM 文字和讀數進程的系數

背景

NT-MDT Co. 在 1991年被設立了以這個目的運用所有被累計的經驗和知識在領域的納米技術於用品研究員有適當的儀器的解決放置在毫微米縮放比例維數的所有可能的任務。 這家公司 NT-MDT 在 Zelenograd - 俄國微電子學的中心被創辦了。 產品開發在 MEMS 技術的現代軟件的組合,對高端微電子學要素的功率,使用和精確度機械零件基礎上。 商業企業 NT-MDT Co. 從 1993年存在。

簡介

使用真空 SPM 極大改進磁性和靜電交往沒有接觸的評定區分。 改進的區分達到的歸結於增加懸臂式質量因素 (Q 系數) 在真空環境裡。

Q 系數在超過 10 次內增加以壓在 10-1 乇以下,甚而通過 forvacuum 泵平均值是可達成的。 但是在下列真空級別 groth 以後懸臂式 Q 系數遲緩地更改。

NT-MDT 的設備解難題者 HVNTEGRA 氣氛准許執行在真空的評定在壓下在 10-1 乇以下。

範例的準備和描述特性

用於下列實驗的這個範例是鐵磁微粒下列參數的被定購的: ~35-40 毫微米直徑, 120 毫微米期間,高度 7 毫微米 (參見圖。 1). 這樣列陣由電子束光刻做在 7 個毫微米高度哥普特人影片與垂直磁性各向異性現象的。

圖 1. 範例 SEM 圖像

圖 2. 範例 MFM 圖像

圖 2 顯示一遍的技術得到的範例 MFM 圖像,那准許獲取 MSM 圖像,在第一通過之後。 為此磁性評定進行在某一 Z 掃描程序位置,不用反饋控制。 (有標準二路式的方法,包括地勢評定在第一通過期間和遠程交往在第二通過期間)。 在掃描期間,一遍的技術的好處是缺乏技巧範例聯絡,那減少不願意的衝銷磁化的概率。 因而範例傾斜的初步的調整為這樣技術是必要的,為了減少在技巧範例分隔上的區別在另外 X, Y 位置。 這可以由評定頂頭行程調整容易地完成。

在表 3 您能看到 MFM 圖像被獲取在技巧和範例之間的另外距離。 當技巧磁化方向是相對於那個磁性粒子時,明亮的地點在表 2 對應於厭惡強制。 黑點對應於吸引力強制在微粒附近與在方向對齊的磁化和技巧磁矩一樣。

影響 MFM 文字和讀數進程的系數

影響 MFM 文字和讀數進程的最重要的參數是技巧範例磁性層的分隔和厚度在這個技巧的。 太濃厚在這個技巧的磁性層或太小的技巧範例距離導致未管制的磁性衝銷。 另一方面,也请變薄技巧層或太大技巧範例距離使系統不合適為寫。

圖 3 明顯地展示此情形。 50 nm CoCr 合金影片包括的懸臂容易地切換微粒磁性狀態: 在掃描期間厭惡成為在有些微粒 (圖 3a) 的吸引力。 (緩慢的掃描是被執行的自下向上的) 增加的技巧範例距離導致瀏覽,无需切換,然而,在這種情況下最終圖像的解決方法是差的 (圖 3b)。

圖 3. MFM 照片得到在另外技巧範例距離

為了進行逐漸寫,這個範例在方向初步被磁化相對於技巧磁化。 然後仅 MFM 圖像顯示厭惡。

微粒磁化可控制的切換模式由技巧的在圖 4. 顯示。 微粒磁矩的局部更改由處理磁性的技巧執行對這個範例。 當這個技巧的局部磁場超出微粒 coercitivity,磁性衝銷發生。 這個結果是可視的在 MFM 圖像作為黑點 (吸引力) 在輕的背景 (厭惡)。 因而數據文字由某些微粒磁性衝銷執行。 數據讀數由一遍的掃描執行。

圖 4. 磁性文字模式

在技巧磁性層厚度以後仔細配件 CoCr 合金 30 塊毫微米層被找到如適用於可控制的局部磁性切換。

對於結果測試目的位於確定的位置的四個各自的微粒,由這樣技巧 (圖 5) 切換。 此實驗顯示在真空進行的納諾被稱的微粒讀/寫進程高可靠性和區分。

圖 5. 在被定購的磁性粒子列陣的可控制的切換

參考一個完整集是可用的是指源文檔。

來源:NT-MDT Co。

關於此來源的更多信息请請參觀 NT-MDT Co。

Date Added: Oct 27, 2008 | Updated: Jun 11, 2013

Last Update: 13. June 2013 20:49

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