Scannen Kelvin-Fühler-Mikroskopie - Mögliche Oberflächendarstellung mit dem XE-Serien AtomKraft-Mikroskop von den Park-Anlagen

Themen Umfaßt

Über Park-Anlagen
Erhöhtes EFM
Warum Erhöhtes EFM?
SKPM

Über Park-Anlagen

Park Anlagen ist der AtomKraft-Mikroskop (AFM)technologieführer und stellt Produkte zur Verfügung, die die Anforderungen aller Forschung und industriellen nanoscale Anwendungen ansprechen. Mit einer eindeutigen Scanner-Auslegung, die die Wahre Berührungsfreie Darstellung in den Flüssigkeits- und Luftumgebungen zulässt, sind alle Anlagen völlig - mit einer langatmigen Liste von innovativen und starken Optionen kompatibel. Alle Anlagen sind konstruierter Einfach-vongebrauch, Genauigkeit und Haltbarkeit im Verstand und versehen Ihre Abnehmer mit den entscheidenden Betriebsmitteln für meetiong aller gegenwärtige und Bedarf.

Die längste Geschichte in der FLUGHANDBUCH-Industrie Rühmend, wird der umfassende Effektenbestand der Park-Anlagen von Produkten, die Software, die Dienstleistungen und die Sachkenntnis nur durch unsere Verpflichtung an unsere Abnehmer angepasst.

Erhöhtes EFM

Drei Extra-EFM-Modi werden durch die erhöhte EFM-Option der XE-Serien unterstützt. Sie sind DC-EFM (DC-EFM wird durch Patent 6.185.991 der Park-Anlagen-US patentiert), Piezoelektrischer Kelvin-Fühler-Mikroskopie der Kraft-Mikroskopie-(PFM, selbe wie DC-EFM) und des Scannens (SKPM), alias Mögliche Oberflächenmikroskopie.

Im erhöhten EFM der XE-Serien, deren schematisches Diagramm in Abbildung 1 gezeigt wird, wird ein External Verriegelung-im Verstärker an das XE-Serien FLUGHANDBUCH zu zwei Zwecken angeschlossen. Ein Zweck ist, WS-Vorspannung von Frequenz ω, zusätzlich zu den GLEICHSTROM-bas anzuwenden, die durch den XE-Controller, an der Spitze angewendet werden. Der andere Zweck ist, sich das Frequenz ω Bauteil vom Ausgangssignal zu trennen. Diese eindeutige Fähigkeit, die durch das XE-Serien erhöhte EFM angeboten wird, ist, was in der Leistung übertrifft, wenn es mit dem Standard-EFM verglichen wird.

Abbildung 1. Schematisches Diagramm vom erhöhten EFM der XE-Serien.

Warum Erhöhtes EFM?

Herkömmliches EFM wird durch den unnötigen und ineffizienten Zweilagenscan bedient und kostspielig begrenzt die Ortsauflösung der möglichen Oberflächenkarte. Das Erhöhte EFM durch die XE-Serien wird konstruiert, um effizienten Scan zur Verfügung zu stellen in einem Durchlauf, um Topographie und Oberflächenpotential ohne verlierende Ortsauflösung gleichzeitig zu messen (Abbildung 2). Außerdem erlaubt dieses die zwei Schlüsselinnovationen des Erhöhten EFM: Hochfrequenz-EFM-Signalmaß herein,

  • Oberflächenladungsverteilung und Potenzialdarstellung
  • Fehleranalyse im Mikroelektronikschaltkreis
  • Mechanische Härtemessung (DC-EFM)
  • Ladungsdensitometrie für ferroelectric Gebiet
  • Spannungsabfall auf Mikrowiderständen
  • Austrittsarbeit eines Halbleiters

Abbildung 2. Herkömmliches EFM gegen Erhöhtes EFM durch die XE-Serien.

SKPM

Prinzip von SKPM ist Ähnliches Erhöhtes EFM mit GLEICHSTROM-Vorspannungsfeedback (Abbildung 3). GLEICHSTROM-Vorspannung wird durch Rückkopplungsschleife bis null der ω Ausdruck gesteuert. Die GLEICHSTROM-Vorspannung, dass null die Kraft eine Maßnahme des Oberflächenpotentials ist. Der Unterschied ist auf die Art, die das Signal, das von Verriegelung-im Verstärker erhalten wird, aufbereitet wird. Wie im vorhergehenden Kapitel dargestellt, kann das ω Signal Verriegelung-in vom Verstärker als folgende Gleichung ausgedrückt werden.

Das ω Signal kann eigenständig verwendet werden, um das Oberflächenpotential zu messen. Die Amplitude des ω Signals ist wenn V =DC Vs null oder, wenn die GLEICHSTROMoffsetvorspannung das Oberflächenpotential der Probe übereinstimmt. Eine Rückkopplungsschleife kann sich der Anlage hinzugefügt werden und die GLEICHSTROMoffsetvorspannung unterscheiden so, dass die Ausgabe von Verriegelung-im Verstärker, der das ω Signal misst, null ist. Dieser Wert der GLEICHSTROMoffsetvorspannung, die das ω Signal auf Null einstellt, ist dann eine Maßnahme des Oberflächenpotentials. Ein Bild, das von dieser Variante in der GLEICHSTROMoffsetvorspannung erstellt wird, wird als Bild gegeben, das den absoluten Wert des Oberflächenpotentials darstellt (Abbildung 4).

Abbildung 3. Schematisches Diagramm von der Scannenden Kelvin-Fühler-Mikroskopie (SKPM) der XE-Serien.

Abbildung 4. OberflächenPOTENZIALVERTEILUNG auf ASIC.

Quelle: Park Anlagen

Zu mehr Information über diese Quelle besuchen Sie bitte Park-Anlagen

Date Added: Apr 22, 2010 | Updated: Sep 20, 2013

Last Update: 20. September 2013 06:24

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