Microscopia de la Antena de Kelvin de la Exploración - Proyección De Imagen Potencial Superficial con el Microscopio Atómico de la Fuerza de las XE-Series de Sistemas del Parque

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Sobre Sistemas del Parque
EFM Aumentado
¿Por Qué EFM Aumentado?
SKPM

Sobre Sistemas del Parque

Los Sistemas del Parque son el arranque de cinta Atómico de la tecnología (AFM) del Microscopio de la Fuerza, proporcionando a los productos que dirigen los requisitos de toda la investigación y aplicaciones industriales del nanoscale. Con un diseño único del analizador que permita la proyección de imagen Sin contacto Verdadera en ambientes del líquido y de aire, todos los sistemas son totalmente compatibles con un filete muy largo de opciones innovadoras y potentes. Todos Los sistemas son fácil-de-uso, exactitud y durabilidad diseñados en mente, y proveen de sus clientes los recursos finales para el meetiong todas las necesidades presentes y futuras.

Jactándose la historia más larga de la industria del AFM, la cartera completa de los Sistemas del Parque de productos, el software, los servicios y la experiencia es correspondida con solamente por nuestra consolidación a nuestros clientes.

EFM Aumentado

Tres modos extras de EFM son utilizados por la opción aumentada de EFM de las XE-series. Son DC-EFM (DC-EFM es patentado por la Patente 6.185.991 de los Sistemas los E.E.U.U. del Parque), Microscopia de la Antena de la Fuerza de Kelvin Piezoeléctrico de la Microscopia (PFM, lo mismo que DC-EFM), y de la Exploración (SKPM), también conocida como Microscopia Potencial Superficial.

En el EFM aumentado de las XE-series cuyo diagrama esquemático se muestra en el Cuadro 1, un externo Bloqueo-En el amplificador se conecta con las XE-series AFM para dos propósitos. Un propósito es aplicar el polarizado de la CA del ω de la frecuencia, además de los bas de DC aplicados por el controlador aéreo de XE, a la punta. El otro propósito es separar el componente del ω de la frecuencia de la señal de rendimiento. Esta capacidad única ofrecida por el EFM aumentado las XE-series es qué sobresale en funcionamiento cuando está comparada al EFM Estándar.

Cuadro 1. diagrama Esquemático del EFM aumentado de las XE-series.

¿Por Qué EFM Aumentado?

EFM Convencional operatorio por la exploración innecesaria e ineficaz del doble-paso, limitando prohibitivo la resolución espacial de la correspondencia potencial superficial. El EFM Aumentado por las XE-series se diseña para proporcionar a la exploración de un paso eficiente para medir la topografía y el potencial de la superficie simultáneamente sin la resolución espacial perdidosa (Cuadro 2). Por Otra Parte, esto permite las dos innovaciones dominantes del EFM Aumentado: Medición De alta frecuencia de la señal de EFM hacia adentro,

  • Distribución de carga Superficial y proyección de imagen del potencial
  • Análisis del Incidente en conjunto de circuitos micro de la electrónica
  • Medición Mecánica del endurecimiento (DC-EFM)
  • Densitometría de la Carga para el dominio ferroeléctrico
  • Caída de voltaje en los resistores micros
  • Función de Trabajo de un semiconductor

Cuadro 2. EFM Convencional comparado con EFM Aumentado por las XE-series.

SKPM

El Principio de SKPM es EFM Aumentado similar con el feedback el polarizado de DC (Cuadro 3). El polarizado de DC es controlado por el bucle de retroalimentación a cero el término del ω. El polarizado de DC que los ceros la fuerza son una dimensión del potencial superficial. La diferencia está de la manera que la señal obtenida de Bloqueo-En el Amplificador se tramita. Según Lo presentado en la sección anterior, la señal del ω Bloqueo-En del Amplificador se puede expresar como ecuación siguiente.

La señal del ω se puede utilizar en sus los propio para medir el potencial superficial. La amplitud de la señal del ω es cero cuando VDC = Vs, o cuando DC compensa los emparejamientos diagonales el potencial superficial de la muestra. Un bucle de retroalimentación puede ser agregado al sistema y variar DC compensado en diagonal tales que el rendimiento del Bloqueo-En el Amplificador que mide la señal del ω es cero. Este valor de DC compensó en diagonal que los ceros la señal del ω son entonces una dimensión del potencial superficial. Una imagen creada de esta variación en DC compensado en diagonal se da como imagen que representa el valor absoluto del potencial superficial (Cuadro 4).

Cuadro 3. diagrama Esquemático de la Microscopia de Exploración de la Antena de Kelvin (SKPM) de las XE-series.

Cuadro 4. distribución Potencial Superficial en ASIC.

Fuente: Sistemas del Parque

Para más información sobre esta fuente visite por favor los Sistemas del Parque

Date Added: Apr 22, 2010 | Updated: Sep 20, 2013

Last Update: 20. September 2013 06:28

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