Microscopie de Sonde de Kelvin de Lecture - Représentation Potentielle Extérieure avec le Microscope Atomique de Force de XE-Suite des Systèmes de Parc

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Au Sujet des Systèmes de Parc
EFM Amélioré
Pourquoi EFM Amélioré ?
SKPM

Au Sujet des Systèmes de Parc

Les Systèmes de Parc est l'amorce Atomique de technologie (AFM) de Microscope de Force, fournissant les produits qui adressent les conditions de toutes les applications de nanoscale de recherches et d'industriel. Avec un seul design de balayeur qui tient compte de la Véritable représentation De non contact dans le liquide et les environnements aériens, tous les systèmes sont entièrement compatibles avec une liste prolongée de novateur et de puissantes options. Tous Les systèmes sont facile-de-utilisation, exactitude et résistance conçues à l'esprit, et fournissent à vos abonnées les moyens éventuels pour le meetiong tous les besoins présents et futurs.

Revendiquant la plus longue histoire dans l'industrie d'AFM, le portefeuille complet des Systèmes de Parc des produits, le logiciel, les services et les compétences est apparié seulement par notre engagement à nos abonnées.

EFM Amélioré

Trois modes supplémentaires d'EFM sont supportés par l'option améliorée d'EFM de la XE-suite. Ils sont DC-EFM (DC-EFM est breveté par le Brevet 6.185.991 des Systèmes USA de Parc), Microscopie de Sonde de Force de Kelvin Piézoélectrique de la Microscopie (PFM, mêmes que DC-EFM), et de Balayage (SKPM), également connue sous le nom de Microscopie Potentielle Extérieure.

Dans l'EFM amélioré de la XE-suite dont le schéma de principe est affiché sur le Schéma 1, un externe Verrou-Dans l'amplificateur est connecté à la XE-suite AFM pour deux buts. Un but est d'appliquer la polarisation À C.A. du ω de fréquence, en plus des bas de C.C appliqués par le Contrôleur de XE, à l'extrémité. L'autre but est de séparer le composant de ω de fréquence du signal de sortie. Cette seule capacité offerte par la XE-suite EFM amélioré est ce qui excelle dans la performance si comparé à l'EFM Normal.

Le Schéma 1. schéma de principe de l'EFM amélioré de la XE-suite.

Pourquoi EFM Amélioré ?

EFM Conventionnel est actionné par l'échographie à passe double inutile et inefficace, limitant prohibitivement la résolution spatiale du plan potentiel extérieur. L'EFM Amélioré par la XE-suite est conçu pour fournir l'échographie à un passage efficace pour mesurer la topographie et le potentiel de surface simultanément sans résolution spatiale perdante (le Schéma 2). D'ailleurs, ceci permet les deux innovations principales de l'EFM Amélioré : Mesure de signe de la Haute fréquence EFM dedans,

  • Distribution de charge Extérieure et représentation de potentiel
  • Analyse de Défaillance dans les circuits micro de l'électronique
  • Mesure Mécanique de dureté (DC-EFM)
  • Densimétrie de Charge pour le domaine ferroélectrique
  • Chute de tension sur les résistances micro
  • Fonctionnement de Travail d'un semi-conducteur

Le Schéma 2. EFM Conventionnel contre EFM Amélioré par la XE-suite.

SKPM

Le Principe de SKPM est assimilé à EFM Amélioré avec le contrôle par retour de l'information de polarisation de C.C (le Schéma 3). La polarisation de C.C est réglée par la boucle de contre-réaction à zéro la condition de ω. La polarisation de C.C que les zéros la force est une mesure du potentiel extérieur. La différence est de la manière que le signe obtenu à partir du Verrou-Dans l'Amplificateur est traité. Comme présenté dans la partie précédente, le signe de ω de Verrou-Dans l'Amplificateur peut être exprimé en tant qu'équation suivante.

Le signe de ω peut être employé seule pour mesurer le potentiel extérieur. L'amplitude du signe de ω est zéro quand VDC = Vs, ou quand la polarisation de Décalage du courant d'obscurité apparie le potentiel extérieur de l'échantillon. Une boucle de contre-réaction peut être ajoutée au système et varier la polarisation de Décalage du courant d'obscurité tels que la sortie du Verrou-Dans l'Amplificateur qui mesure le signe de ω est zéro. Cette valeur de la polarisation de Décalage du courant d'obscurité qui met le signe de ω est alors une mesure du potentiel extérieur. Une image produite de cette variation dans la polarisation de Décalage du courant d'obscurité est donnée comme image représentant la valeur absolue du potentiel extérieur (le Schéma 4).

Le Schéma 3. schéma de principe De la Microscopie de Balayage de Sonde de Kelvin (SKPM) de la XE-suite.

Le Schéma 4. distribution Potentielle Extérieure sur un ASIC.

Source : Systèmes de Parc

Pour plus d'informations sur cette source visitez s'il vous plaît les Systèmes de Parc

Date Added: Apr 22, 2010 | Updated: Sep 20, 2013

Last Update: 20. September 2013 06:23

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