Microscopia da Ponta De Prova de Kelvin da Exploração - Imagem Lactente Potencial De Superfície com o Microscópio Atômico da Força das XE-Séries dos Sistemas do Parque

Assuntos Cobertos

Sobre Sistemas do Parque
EFM Aumentado
Por Que EFM Aumentado?
SKPM

Sobre Sistemas do Parque

Os Sistemas do Parque são o líder Atômico da tecnologia (AFM) do Microscópio da Força, fornecendo os produtos que endereçam as exigências de toda a pesquisa e aplicações industriais do nanoscale. Com um projecto original do varredor que permita a imagem lactente Verdadeira do Não-Contacto em ambientes do líquido e de ar, todos os sistemas são inteiramente - compatíveis com uma lista longa de opções inovativas e poderosas. Todos Os sistemas são fácil--uso, precisão e durabilidade projetados na mente, e fornecem seus clientes os recursos finais para o meetiong todas as necessidades presentes e futuras.

Vangloriando-se da história a mais longa na indústria do AFM, a carteira detalhada dos Sistemas do Parque dos produtos, o software, os serviços e a experiência são combinados somente por nosso comprometimento a nossos clientes.

EFM Aumentado

Três modos extra de EFM são apoiados pela opção aumentada de EFM das XE-séries. São DC-EFM (DC-EFM é patenteado pela Patente 6.185.991 dos Sistemas E.U. do Parque), Microscopia da Ponta De Prova de Kelvin Piezoeléctrico da Microscopia da Força (PFM, mesmo que DC-EFM), e da Varredura (SKPM), igualmente conhecida como a Microscopia Potencial De Superfície.

No EFM aumentado das XE-séries cujo o diagrama esquemático é mostrado em Figura 1, um externo Fechamento-no amplificador é conectado às XE-séries AFM para duas finalidades. Uma finalidade é aplicar a polarização da C.A. do ω da freqüência, além do que os bas da C.C. aplicados pelo controlador de XE, à ponta. A outra finalidade é separar o componente do ω da freqüência do sinal de saída. Esta capacidade original oferecida pelo EFM aumentado XE-séries é o que prima no desempenho quando comparado ao EFM Padrão.

Figura 1. diagrama Esquemático do EFM aumentado das XE-séries.

Por Que EFM Aumentado?

EFM Convencional é operado pela varredura desnecessária e incapaz da dobro-passagem, limitando proibitiva a definição espacial do mapa potencial de superfície. O EFM Aumentado pelas XE-séries é projectado fornecer a varredura de uma passa eficiente para medir simultaneamente a topografia e o potencial da superfície sem definição espacial perdedora (Figura 2). Além Disso, isto permite as duas inovações chaves do EFM Aumentado: Medida De alta freqüência do sinal de EFM dentro,

  • Distribuição de carga De Superfície e imagem lactente do potencial
  • Análise da Falha em micro circuitos da eletrônica
  • Medida Mecânica da dureza (DC-EFM)
  • Densitometria da Carga para o domínio ferroelectric
  • Queda de Tensão nos micro resistores
  • Função de Trabalho de um semicondutor

Figura 2. EFM Convencional contra EFM Aumentado pelas XE-séries.

SKPM

O Princípio de SKPM é EFM Aumentado similar com feedback da polarização da C.C. (Figura 3). A polarização da C.C. é controlada pelo laço de feedback a zero o termo do ω. A polarização da C.C. que os zero a força são uma medida do potencial de superfície. A diferença está na maneira que o sinal obtido do Fechamento-no Amplificador é processado. Como apresentado na secção precedente, o sinal do ω Fechamento-no Amplificador pode ser expressado como seguinte equação.

O sinal do ω pode ser usado no seus próprios para medir o potencial de superfície. A amplitude do sinal do ω for zero quando VDC = Vs, ou quando os fósforos diagonais deslocados C.C. o potencial de superfície da amostra. Um laço de feedback pode ser adicionado ao sistema e variar a C.C. deslocada de viés tais que a saída do Fechamento-no Amplificador que mede o sinal do ω é zero. Este valor da C.C. deslocada de viés que zera o sinal do ω é então uma medida do potencial de superfície. Uma imagem criada desta variação na C.C. deslocada de viés é dada como uma imagem que representa o valor absoluto do potencial de superfície (Figura 4).

Figura 3. diagrama Esquemático da Microscopia de Varredura da Ponta De Prova de Kelvin (SKPM) das XE-séries.

Figura 4. distribuição Potencial De Superfície em um ASIC.

Source: Sistemas do Parque

Para obter mais informações sobre desta fonte visite por favor Sistemas do Parque

Date Added: Apr 22, 2010 | Updated: Sep 20, 2013

Last Update: 20. September 2013 06:27

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