Микроскопия Зонда Кельвина Скеннирования - Поверхностное Потенциальное Воображение с Микроскопом Усилия XE-Серий Атомным от Систем Парка

Покрытые Темы

О Системах Парка
Увеличенное EFM
Почему Увеличенное EFM?
SKPM

О Системах Парка

Системы Парка Атомный руководитель технологии (AFM) Микроскопа Усилия, обеспечивая продукты которые адресуют требования всех исследования и промышленных применений nanoscale. С уникально конструкцией блока развертки которая позволяет для Истинного Внеконтактного воображения в окружающих средах жидкости и воздуха, все системы полно - совместимы с длинномерным списком новаторских и мощных вариантов. Все системы конструированные легк--польза, точность и стойкость в разуме, и обеспечивают ваших клиентов с типичными ресурсами для meetiong все потребности настоящего момента и будущего.

Похваляющся самая длинняя история в индустрии AFM, портфолио Систем Парка всестороннее продуктов, ПО, обслуживания и экспертиза соответствуются только нашим принятием окончательного решения к нашим клиентам.

Увеличенное EFM

3 экстренных режима EFM поддержаны увеличенным вариантом EFM XE-серий. Они DC-EFM (DC-EFM запатентовано Патентом 6.185.991 Систем США Парка), Микроскопия Зонда Пьезоэлектрического Кельвина Микроскопии Усилия (PFM, такого же как DC-EFM), и Просматривать (SKPM), также известная как Поверхностная Потенциальная Микроскопия.

В увеличенном EFM XE-серий диаграмма которых схематическая показана в Диаграмме 1, external Замк-В усилителе подключен к XE-сериям AFM для 2 целей. Одна цель приложить смещение AC ω частоты, в дополнение к bas DC прикладной регулятором XE, к подсказке. Другая цель отделить компонент ω частоты от выходного сигнала. Эта уникально возможность предложенная EFM увеличенным XE-сериями что первенствует в представлении сравнивано к Стандартному EFM.

Диаграмма 1. Схематическая диаграмма увеличенного EFM XE-серий.

Почему Увеличенное EFM?

Обычное EFM эксплуатируется ненужной и неработоспособной разверткой двойн-пропуска, запретительно ограничивая пространственное разрешение поверхностной потенциальной карты. Увеличенное EFM XE-сериями конструировано для того чтобы обеспечить эффективную развертку одн-пропуска для того чтобы измерить и топографию и потенциал поверхности одновременно без проигрышного пространственного разрешения (Диаграммы 2). Сверх Того, это позволяет 2 ключевым рационализаторствам Увеличенного EFM: Высокочастотное измерение сигнала EFM внутри,

  • Поверхностное воображение распределения заряда и потенциала
  • Анализ Отказа в микро- сетях электроники
  • Механически измерение твердости (DC-EFM)
  • Денситометрирование Обязанности для ferroelectric домена
  • Падение Напряжения Тока на микро- резисторах
  • Рабочая функция полупроводника

Диаграмма 2. Обычное EFM против Увеличенного EFM XE-сериями.

SKPM

Принцип SKPM подобное Увеличенное EFM с обратной связью смещения DC (Диаграммой 3). Смещение DC управляется цепью обратной связи до нул термин ω. Смещение DC что нули усилие измерение поверхностного потенциала. Разница в путе обработан сигнал полученный от Замк-В Усилителе. Как представлено в предыдущем разделе, сигнал ω от Замк-В Усилителя можно выразить как следующее уровнение.

Сигнал ω можно использовать на своих для того чтобы измерить поверхностный потенциал. Амплитуда сигнала ω zero когда VDC = Vs, или когда смещение DC смещенное соответствует поверхностному потенциалу образца. Цепь обратной связи можно добавить к системе и поменять смещение DC смещенное такие что выход Замк-В Усилителе который измеряет сигнал ω нул. Это значение смещения DC смещенного которое вычеркивает сигнал ω после этого измерение поверхностного потенциала. Изображение созданное от этого изменения в смещении DC смещенном дается как изображение представляя абсолютную величину поверхностного потенциала (Диаграммы 4).

Диаграмма 3. Схематическая диаграмма Просматривая Микроскопии Зонда Кельвина XE-серий.

Диаграмма 4. Поверхностное Потенциальное распределение на ASIC.

Источник: Системы Парка

Для больше информации на этом источнике пожалуйста посетите Системы Парка

Date Added: Apr 22, 2010 | Updated: Sep 20, 2013

Last Update: 20. September 2013 06:28

Ask A Question

Do you have a question you'd like to ask regarding this article?

Leave your feedback
Submit