掃描凱爾文探測顯微學 - 與 XE 串聯基本強制顯微鏡的表面潛在的想像從公園系統

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關於公園系統
改進的 EFM
為什麼改進的 EFM ?
SKPM

關於公園系統

公園系統基本強制顯微鏡 (AFM)技術領先者,提供解決所有研究和行業 nanoscale 應用的需求的產品。 允許在液體和空電設施的真的沒有接觸的想像的一個唯一掃描程序設計,所有系統與創新和強大的選項一個較的列表是完全兼容的。 所有系統是被設計的容易使用、準確性和耐久性在頭腦裡,并且提供您的客戶以最終資源為 meetiong 所有今後需要。

吹噓 AFM 行業的悠久的歷史,產品公園系統的全面投資組合,軟件、服務和專門技術由我們的承諾仅符合给我們的客戶。

改進的 EFM

三個額外的 EFM 模式由 XE 串聯的改進的 EFM 選項支持。 他們是 DC-EFM (DC-EFM 由公園系統美國專利 6,185,991) 給予專利,壓電強制顯微學 (PFM,和 DC-EFM 一樣) 和瀏覽凱爾文探測顯微學 (SKPM),亦稱表面潛在的顯微學。

在簡圖在表 1 顯示 XE 串聯的改進的 EFM,外部封鎖行動放大器為兩個目的被連接到 XE 串聯 AFM。 一個目的將適用頻率ω AC 偏心,除 XE 管理員適用的 DC bas 之外,於這個技巧。 另一個目的將從輸出信號分隔頻率ω要素。 XE 串聯改進的 EFM 提供的此唯一功能是什麼在性能擅長,當與標準 EFM 比較。

圖 1. 簡圖 XE 串聯的改進的 EFM。

為什麼改進的 EFM ?

常規 EFM 由多餘和效率低的二重通過掃描管理,禁止地限制表面潛在的映射的空間分辨率。 由 XE 串聯的改進的 EFM 被設計提供高效的一遍的掃描同時評定地勢和表面潛在,不用丟失的空間分辨率 (圖 2)。 而且,這允許改進的 EFM 的二關鍵創新: 高頻率 EFM 信號評定,

  • 表面電荷配電器和潛在想像
  • 在微電子電路的故障分析
  • 機械堅硬評定 (DC-EFM)
  • 鐵電疇的充電測密度術
  • 在微電阻器的電壓下落
  • 半導體的功函

圖 2. 常規 EFM 與由 XE 串聯的改進的 EFM。

SKPM

SKPM 的原則是與 DC 偏心反饋 (圖 3) 的相似的改進的 EFM。 DC 偏心由反饋環路控制到零ω術語。 DC 偏心零強制是表面潛在的評定。 這個區別就像從封鎖行動放大器得到的這個信號被處理的。 如存在前面的部分,從封鎖行動放大器的ω信號可以表示作為下列等式。

ω信號可以獨自地用於評定表面潛在。 ω信號的高度零,當 VDC = Vs,或者,當 DC 抵銷偏心符合這個範例的表面潛在。 反饋環路可以被添加到這個系統和變化 DC 抵銷偏心這樣評定ω信號封鎖行動放大器的輸出是零。 調零ω信號 DC 抵銷偏心的此值是然後表面潛在的評定。 從此差異生成的圖像在 DC 抵銷偏心產生作為表示表面潛在 (圖 4) 的绝對值圖像。

圖 3. 簡圖 XE 串聯的瀏覽的凱爾文 (SKPM)探測顯微學。

在 ASIC 的圖 4. 表面位勢分佈。

來源: 公園系統

關於此來源的更多信息请請參觀公園系統

Date Added: Apr 22, 2010 | Updated: Sep 20, 2013

Last Update: 20. September 2013 06:22

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