Microscopia della Forza di Piezoresponse (PFM) - Introduzione, Principi ed Aspetti Strumentali di Microscopia della Forza di Piezoresponse da NT-MDT

Argomenti Coperti

Introduzione
Principi ed Aspetti Strumentali di Microscopia della Forza di Piezoresponse (PFM)
     Principi Di Base di PFM
     Cronologia di PFM
     Teoria Elementare di PFM
Meccanismo di Contrasto nella Microscopia della Forza di Piezoresponse
Artefatti nell'Acquisizione di PFM
Modello e Auto-Assembly di Polarizzazione via PFM
Piezoresponse e Pseudoferroelectricity in ZnO
Electromechanics dei Sistemi Biologici
Studi di Nanoscale sui Materiali di Multiferroic
Conclusioni

Introduzione

Ferroelectrics è una sottoclasse del piezoelectrics, vale a dire, materiali che sperimentano la deformazione meccanica sotto tensione applicata o il carico nell'ambito di forza meccanica. Mostra di Ferroelectrics una vasta gamma di beni funzionali, compreso alta e polarizzazione elettrica scambiabile, forte piezzoelettricità, alta attività ottica non lineare, pyroelectricity eccezionale e comportamento dielettrico non lineare notevole. Questi beni sono recentemente indispensabili per le applicazioni in numerosi apparecchi elettronici quali i sensori, azionatori, rivelatori di IR, filtri da a microonde e, memorie non volatili, nominare alcuni. dovuto questa combinazione unica di ricercatori e di ingegneri dei beni stanno mettendo a fuoco sulla visualizzazione dei domini ferroelettrici (aree con la direzione unica di polarizzazione) ai disgaggi differenti.

Gli avanzamenti Recenti nella sintesi e nel montaggio di micro-e in ferroelectrics del nanoscale hanno dato alla luce i nuovi fenomeni fisici ed unità che devono essere studiati e capiti a questo disgaggio. Come le dimensioni della struttura stanno ottenendo più piccole, mostra di ferroelectrics un effetto di dimensione pronunciato che si manifesta in una deviazione significativa dei beni delle strutture basso dimensionali dai loro analoghi in serie. In questo senso, il ferroelectrics è simile ai materiali magnetici poiché l'energia di superficie non può essere trascurata nei piccoli volumi e l'interazione a lungo raggio del dipolo è modificata significativamente nelle geometrie diminuite. Egualmente dipende sopra se un ferroelettrico è limitato in uno, due, o tutte le strutture tridimensionali.

A Seguito della sfida di miniaturizzazione, le tecniche novelle sono richieste per la valutazione dei beni ferroelettrici e piezoelettrici con il livello, infine risoluzione del nanoscale. Molte emissioni fondamentali hanno al giorno d'oggi essere affrontate quale effetto della relegazione della geometria sui beni ferroelettrici e piezoelettrici, relazione fra piezoresponse locale ed i beni macroscopici come pure i meccanismi microscopici della commutazione di polarizzazione, della stabilità del dominio e della degradazione, compreso i fenomeni di polarizzazione all'interfaccia.

Oltre le applicazioni novelle del nanoscale, la funzionalità delle pellicole ferroelettriche, la ceramica policristallina e perfino i monocristalli è dominata spesso dai difetti che fungono da nucleazione e centri appuntare per le pareti di dominio mobili e così determinano il piezoresponse. Inoltre, i beni elettromeccanici unici del ferroelectrics di relaxor (materiali con sforzo gigante e la costante dielettrica) provengono dall'interazione di polarizzazione con il prodotto chimico e fanno pagare il disordine sul disgaggio di nanometro. Per Concludere, c'è una classe novella di multiferroics dove la polarizzazione è accoppiata alla magnetizzazione al disgaggio locale.

Per indirizzare i meccanismi fondamentali che sostengono la funzionalità dei materiali e delle unità ferroelettrici, le strutture di dominio e la loro evoluzione nell'ambito della tendenziosità devono essere studiate ai disgaggi di nanometro e del micro. Lo sviluppo rapido di Microscopia di microscopia della sonda di scansione e, particolarmente, della Forza di Piezoresponse (PFM) ha provocato un avanzamento favoloso in questa area come sarà evidenziato sotto dopo la breve descrizione del metodo.

I Principi e gli Aspetti Strumentali di Piezoresponse Forzano la Microscopia (PFM)

Principi Di Base di PFM

L'approccio di PFM per il sondaggio piezo-elettrico-e i beni ferroelettrici al nanoscale è basato sul forte accoppiamento fra la polarizzazione e il dispacement meccanico. Apparentemente, coppia può essere arringata applicando un campo elettrico altamente localizzato al materiale e sondando gli spostamenti di superficie minuscoli risultanti con una precisione del picometer (Fig. 1).

La Figura 1. Disegno Schematico della disposizione di Microscopia della Forza di Piezoresponse dove sia le tensioni di CC che di CA si applicano al suggerimento metallizzato ed allo spostamento meccanico è misurata via il metodo convenzionale del AFM.

Il AFM Comune fornisce una piattaforma ideale per lo studio locale del piezoeffect dovuto alta risoluzione verticale e l'alta localizzazione del campo elettrico alla giunzione fra il suggerimento metallizzato e la superficie. Quindi, PFM è un contatto-modo AFM in cui un suggerimento conduttivo elettricamente influenzato del AFM è utilizzato poichè una sonda dell'accoppiamento elettromeccanico locale via l'effetto piezoelettrico opposto. Notevolmente, il meccanismo di base di formazione di immagine in PFM è complementare ai metodi basati a forza del AFM (forza è applicata e la deformazione del suggerimento è misurata) ed alla microscopia di traforo di scansione (STM) (diagonale è applicato e una corrente è misurata).

Cronologia di PFM

A Seguito dell'invenzione di STM e del AFM, i primi esempi di misurazione della deformazione tendenziosità tendenziosità dovuto piezzoelettricità con una sonda di scansione erano nel 1991 dove il piezoresponse è stato studiato facendo uso di microscopia acustica e di STM di scansione. In seguito, i primi documenti sulle misure piezoelettriche e la visualizzazione del dominio ferroelettrico dal AFM sono comparso. A Seguito di questo una serie di risultati pionieristici è stata ottenuta da Takata ed altri (facendo uso di rappresentazione di sforzo via il traforo della microscopia acustica), da Franke ed altri, da Kolosov ed altri e da Gruverman et al. Il lavoro da Gruverman con i co-author è particolarmente importante perché ha dimostrato il ferroelectrics in comune di commutazione e della rappresentazione e la punzonatura dei termini “Piezoresponse„ e “PFM„ che ora sono diventato standard. Durante i 15 anni scorsi, PFM si è trasformato nello strumento primo per lo studio dei beni statici e dinamici dei materiali ferroelettrici, come provato da una serie di libri ed esami recenti.

Teoria Elementare di PFM

In PFM, una tensione si applica al suggerimento conduttivo As

Vtip = V+DC VAC cos (ωt)

Qui la VDC è la tendenziosità di CC (tendenziosità di commutazione), VAC è la tendenziosità di CA (che sonda di sbieco) e il ω è la frequenza di tendenziosità di CA (che determina frequenza). Mentre il campione si espande e contratti dovuto l'effetto piezoelettrico opposto, riflettere la deformazione del suggerimento facendo uso della a blocco-in amplificatore in moda dall'oscillazione del suggerimento

A = A0 + Acos (ωt + φ)

dove A0 è lo spostamento e il φ di superficie statici è di sfasamento fra la tensione movente VAC e la deformazione indotta tensione A = d33eff VAC + (∂C/∂z) (VDC - VV5)AC. Il primo termine è la deformazione piezoelettrica locale dovuta del vero piezoresponse descritta dall'efficace d piezocoefficient33eff ed il secondo termine è una deformazione elettrostatica locale causata sia da locale che il non locale Maxwell stress.20 Contro i supporti per il potenziale e la C di superficie è il capaciatance totale del sistema del a mensola-campione.

L'ampiezza di PFM fornisce informazioni sulla grandezza dell'accoppiamento elettromeccanico locale, mentre l'immagine di fase di PFM dà l'orientamento locale di polarizzazione. La risoluzione della rappresentazione di PFM è Tipicamente di meno che il ~ 10-30 nanometro come determinata a partire dalla metà della larghezza di una parete di dominio nel segnale misto di PFM, PR = Acos (φ) che principalmente è usato per la caratterizzazione (φ è etere vicino a 0º o a 180º). La risoluzione è limitata dall'area di contatto del suggerimento-campione (nominalmente determinata dal raggio della punta del suggerimento), comunque meccanismi supplementari per l'ampliamento quali le interazioni elettrostatiche e la formazione di collo liquido nella giunzione della suggerimento-superficie è possibile.

Meccanismo di Contrasto nella Microscopia della Forza di Piezoresponse

Il meccanismo di contrasto e la rilevazione dei reticoli del dominio ferroelettrico con PFM è basato sul fatto che i materiali ferroelettrici sono necessariamente piezoelettrici. Basicamente, la trave a mensola esegue tre generi di spostamenti: (i) deflessione verticale come conseguenza del da forza piana dovuto il coefficiente33eff di d, (ii) torsione (causata da tosatura d) piezocoefficient15eff e (iii) inarcandosi dall'interazione con la superficie quando una forza dell'in-aereo agisce lungo l'asse a mensola. Il primo tipo di deformazioni si riferisce a come misure dell'fuori de aereo (o PFM verticale, o VPFM).

Se la polarizzazione e campo elettrico applicato è parallela (Fig. 2a), la deformazione è positiva che (espansione) e segnale del piezoresponse ha luogo nella fase con il V.AC Al contrario, se il campo elettrico applicato è antiparallelo alla polarizzazione spontanea, questo causerà piezoelettrico contrarrsi con l'abbassamento conseguente della trave a mensola (Fig. 2b). Il campo elettrico ed il segnale del piezoresponse sono spostati nella fase da 180°. Similmente, la direzione della polarizzazione per il granulo ferroelettrico polarizzato in-aereo può essere dedotta via (tosatura) un coefficiente piezoelettrico pertinente la d15eff (Fig. 2c, d). In questo caso, il campo elettrico applicato causa una deformazione della tosatura del granulo, che è trasferito via le forze di attrito al movimento di torsione della trave a mensola. Queste misure più ulteriormente saranno denotate come misure dell'in-aereo (o PFM laterale, o LPFM).

dovuto l'asimmetria a mensola, polarizzazione in direzione dell'asse a mensola può essere registrato soltanto fisicamente girando il campione da 90° lungo l'z-asse e ripetendo la misura dell'in-aereo. Acquistando tutte e tre le componenti del segnale del piezoresponse, è possibile eseguire almeno la ricostruzione semiquantitativa dell'orientamento di polarizzazione. Tuttavia, l'orientamento preciso di polarizzazione può essere calcolato soltanto se tutte le componenti del tensore piezoelettrico sono conosciute. Il primo tentativo di collegare l'ampiezza del segnale del piezoresponse all'orientamento della polarizzazione ferroelettrica è stato intrapreso da Harnagea e Pignolet ed il formalismo dettagliato più successivamente è stato sviluppato da Kalinin et al. Un'analisi attenta del movimento della trave a mensola deve essere fatta riguardo al suo orientamento riguardante le asce cristallografiche del campione, permettendo una chiara attribuzione del contrasto osservato del dominio alle forze motrici. Nel caso dei materiali compositi come polimero ferroelettrico mescolato con le particelle o dei materiali (organico-inorganici) ibridi ferroelettrici questo problema si avvicina a conoscendo il comportamento elettromeccanico di ogni componente.

Figura 2. effetto Piezoelettrico in un ferroelettrico tetragonale esaminatore da PFM. (a) Il campo elettrico ha allineato la parallela alla polarizzazione spontanea piombo ad un sollevamento della trave a mensola dovuto l'effetto33 di d (segnale dell'fuori de aereo). (b) L'allineamento antiparallelo del campo elettrico e della polarizzazione spontanea piombo ad una contrazione verticale e ad un'espansione orizzontale del ferroelettrico. (c), (d) ortogonale applicato del campo elettrico Ai risultati di polarizzazione in un movimento della tosatura dovuto il coefficiente15 di d. Questo movimento causa una deformazione di torsione della trave a mensola che forza il punto di laser per muoversi orizzontalmente (segnale dell'in-aereo).

Artefatti nell'Acquisizione di PFM

Purtroppo una separazione inequivocabile dei canali di acquisizione dell'in-aereo e dell'fuori de aereo non è sempre possibile. Ciò provoca indipendente l'interferenza fra sia i canali che il misinterpreatation dei risultati se l'interferenza è della ragione meccanica o elettrica. Sebbene la maggior parte del AFMs disponibile nel commercio sia fornito con i programmi capaci per compensare le immagini durante il trattamento, la correzione di interferenza di PFM non è inclusa. NT-MDT (in collaborazione con l'Università di Bonn) ha sviluppato un circuito elettronico semplice in cui la compensazione di interferenza è fatta mediante trattamento semplice del segnale dell'in-aereo ed i segnali dell'fuori aereo nella situazione dove l'uno o l'altro di loro è presente. I risultati indicati sotto illustrano la situazione dove soltanto il segnale dell'in-aereo è presente. Il segnale dell'fuori de aereo PFM completamente è compensato dal circuito compensante.

Figura 3. Topogaphy (a), fuori de aereo PFM (b) e in-aereo PFM (c) segnala senza (giusta immagine) e con (compensatore di interferenza di immagine sinistra) nei nanotubes del peptide dei FF in cui soltanto il segnale dell'in-aereo dovrebbe essere osservato (cortesia di Immagini di I. Bdikin e di A. Kholkin, Università di Aveiro, di Portogallo).

Modello e Auto-Assembly di Polarizzazione via PFM

Corrente, la ricerca è condotta per scoprire i nuovi tipi di materiali che possono montare nelle unità unicamente di funzionamento. La pietra angolare di tali studia è uno sforzo sintetico vigoroso che permette che la libertà progetti, di modo che i nuovi tipi strutturali possono essere creati. Una domanda senza risposta è come inventare i metodi generali per montare e collegare le strutture organiche e biologiche nelle unità molecolari di funzionamento del disgaggio. Per raggiungere questi collegamenti critici, un nuovo tipo di assembly deve essere concedere sviluppato fissare le specie molecolari differenti sulla superficie nelle posizioni predeterminate. L'approccio Novello che recentemente è stato suggerito è basato del montaggio dei nanostructures diretti da polarizzazione (ferroelettrica) atomica sulla superficie. Ciò si riferisce a spesso come litografia ferroelettrica. La polarizzazione Ferroelettrica può effettivamente essere usata per montare le varie specie organiche ed inorganiche e per creare i nanostructures con i beni controllati. Come esempio, mostriamo qui quel P (VDF-TrFE), pellicole ultrasottili depositate dalla tecnica di Langmuir-Blodgett possiamo essere usati come modelli per il montaggio di vari fosfolipidi, che sono le componenti essenziali delle membrane cellulari. Sia la rappresentazione che modellare potrebbero essere fatti da PFM, di modo che i reticoli del nanoscale possono essere creati. Questi sono stati rivelati dalla formazione di omogeneo e la stalla ha arrotondato le chiazze con i diametri nell'intervallo 0.5-3µm.

In questo modo, le pellicole ferroelettriche del polimero sono state polarizzate dall'applicazione di varie tensioni via un suggerimento di conduzione di PFM e le immagini di PFM poi sono state ottenute che mostrano la distribuzione gestita di polarizzazione. Dopo questo, le molecole del fosfolipide (1,2-di-O-hexadecyl- sn-glycero-3-phosphocholine) sono state depositate dalla soluzione. Gli esperimenti atomici Convenzionali di microscopia della forza poi sono stati eseguiti per valutare la selettività del trattamento del deposito. È stato osservato che il trattamento del deposito è molto sensibile alla concentrazione della soluzione. Il deposito selettivo è stato osservato pricipalmente ai limiti di polarizzazione dove la selettività ha raggiunto un valore massimo di circa 20-40% (Fig. 4a). Le righe del pospholipid potrebbero anche direttamente essere depositate dal suggerimento di PFM come una penna del nanoscale (Fig. 4b) e la polarizzazione può anche essere invertita in un livello del fosfolipide

Figura 4. (a) da assembly Guidato da polarizzazione dei pospholipids sulla superficie delle pellicole di P (VDF-TrFE) via PFM, (b) Pospholipid allinea scritto e visualizzato da PFM e (c) i domini ferroelettrici writeen sulla superficie delle pellicole di doppio strato del fosfolipide P (VDF-TrFE). Cortesia Alejandro Heredia, Igor Bdikin e Andrei Kholkin (Università di Aveiro, di Portogallo).

Piezoresponse e Pseudoferroelectricity in ZnO

L'ossido di Zinco (ZnO) è un materiale N tipo ben noto a semiconduttore che ha beni elettronici ed ottici notevoli con grande potenziale per micro-e l'optoelettronica. A pellicole orientate a c Altamente resistenti di ZnO sono egualmente di interesse per varie applicazioni piezoelettriche (per esempio come i sensori, gli azionatori, i trasduttori acustici ad alta frequenza, ecc) dovuto i loro beni piezoelettrici notevoli e stabili. Recentemente, ZnO si è trasformato in in un materiale della scelta per le unità di raccolta piezoelettriche a causa della facilità della crescita nelle geometrie del nanobelt e del nanorod. Tuttavia, i beni piezoelettrici di ZnO non sono capita buona e caratterizzato, particolarmente nel caso delle pellicole policristalline che hanno orientamento misto dei granuli e (se c'è ne) del unipolarity debole. L'esempio dell'indagine dettagliata sui beni piezoelettrici delle pellicole di ZnO si arrende la Fig. 5. Ogni granulo è caratterizzato dal contrasto relativo al coefficiente piezoelettrico pertinente, all'orientamento del granulo ed a premere l'effetto di altri granuli. Facendo Uso di PFM era possibile ottenere le mappe piezoelettriche della superficie misurando la risposta in verticale e 2 indicazioni laterali ortogonali (Fig. 5a.c.) e, in base al contrasto piezoelettrico, a deconvolute l'orientamento e la polarità di ogni granulo determinato (Fig. 5c). Per la prima volta, l'isteresi del tipo di ferroelettrico è stata scoperta in ZnO (Fig. 5e) nominalmente puro che prova così i sui beni pseudoferroelectric come preveduta recentemente da Tagantsev.

Figura 5. mappe piezoelettriche di Topografia (a) e del nanoscale in pellicole policristalline di ZnO (b-c) ottenute tramite deposito del laser pulsato. Mappa di Polarità (c) rappresenta la polarizzazione (con il segno) e l'orientamento di diversi granuli mentre (g) dimostra l'isteresi del tipo di ferroelettrico in pellicole nominalmente undoped. Cortesia Igor Bdikin e Andrei Kholkin (Università di Aveiro, di Portogallo).

Electromechanics dei Sistemi Biologici

La Piezzoelettricità che proviene dal sistema cristallino non centrosymmetric è i beni intrinsechi della maggior parte dei biopolimeri, compreso le proteine ed i polisaccaridi. Il comportamento Piezoelettrico è stato osservato in vari sistemi biologici, compreso calcificato ed i tessuti connettivi e gli impianti, la dentina, le ossa Ecc. Capenti la relazione fra i campi elettrici ed i beni meccanici fisiologicamente generati ai livelli molecolari, cellulari e del tessuto si è trasformato nella motivazione principale di studio della piezzoelettricità nei sistemi biologici. L'interesse è egualmente dovuto il fatto che i biomateriali pizoelectrically attivi possono essere usati come i sensori, gli azionatori e trasduttori del nanoscale completamente - compatibile con l'ambiente biologico. Inoltre, la forte dipendenza di orientamento dell'effetto piezoelettrico è estremamente importante per l'indagine sulla struttura gerarchica complessa in materiali biologici. Recentemente è stato osservato che i brevi peptidi aromatici auto-hanno montato nelle geometrie tubolari del nanscale con un piezoeleffect molto alto (comparabile a quello in LiNbO3, uno dei materiali inorganici principalmente usati del trasduttore). Figura 6 presenta l'immagine del nanotube (a), disegno schematico della topografia della polarizzazione e disposizione di misura da PFM (b) e PFM contrappongono per i nanotubes in modo opposto orientati in cui il coefficiente33eff piezoelettrico di d (tosatura) è soltanto responsabile dell'accoppiamento elettromeccanico. Il vantaggio di PFM è un'alta risoluzione e una possibilità per misurare l'effetto piezoelettrico locale nelle geometrie complesse. La forte ed attività piezoelettrica robusta in PNTs bioinspired (non veduto mai nel passato) rende loro i candidati di promessa per le generazioni future di nanopiezoelectrics “verde„ che potrebbero essere utilizzate estesamente nelle applicazioni biomediche e mediche. È preveduto che questi nanotubes biocompatibili e rigidi (come pure schiere di di ciò) possano servire da elementi chiave per i biosensori futuri permettendo il contatto diretto con il tessuto umano.


 

Figura 6. Topografia (a), disposizione di misura (b) e contrasto piezoelettrico (c) nei nanotubes del peptide dei FF (cortesia Igor Bdikin e Andrei Kholkin, Università di Aveiro, di Portogallo).

Studi di Nanoscale sui Materiali di Multiferroic

Multiferroics - materiali che hanno simultaneamente ordinazione magnetica e ferroelettrica - ora attirare un considerevole interesse sia a causa di fisica affascinante che delle applicazioni di promessa. Uno dei dispositivi di guida proposti per ferroelettricità è l'avvenimento della tassa che ordina (CO) in manganiti miste combinate con la dimerizzazione schiava per rompere la simmetria di inversione. Considerando che la polarizzazione in questi solidi possa esistere nei volumi del nanoscale, la Microscopia della Forza di Piezoresponse può essere usata per lo studio dei beni ferroelettrici tendenziosità tendenziosità sia sotto che sopra la transizione di fase di CO. Tale ferroelettricità tendenziosità tendenziosità studiata via PFM può anche essere importante per la creazione i materiali e delle celle di memoria multiferroic artificiali. Questi esperimenti aiutano a undertand il ruolo della tassa/dell'ordinazione orbitale e magnetica sulla polarizzazione elettrica e valutano la natura di nuova sorgente del multiferroicity. Questi exeriments recentemente sono stati eseguiti (La, Sr) sulle manganiti miste3 ben note di MnO ed effettivamente uno stato ferroelettrico è stato trovato alle temperature ambienti, cioè, molto più superiore preveduto per le transizioni di fase di CO. Figura 7 esemplifica dall'l'isola ferroelettrica indotta da campo diagonale nella manganite centrosymmetric “mare„. Ciò conferma che su abbastanza campo elettrico potrebbe rompere una simmetria ed indurre lo stato polare dovuto la verniciatura “elettrica„ locale del materiale.

Figura 7. isola ferroelettrica di Nanoscale indotta dal PFM Tim nei cicli0.890.113 di isteresi della manganite (a) e del piezoresponse di LaSrMnO che mostrano reversibilità di polarizzazione. Cortesia Igor Bdikin e Andrei Kholkin (Università di Aveiro, di Portogallo).

Conclusioni

Mentre la richiesta iniziale di PFM era pricipalmente ai domini ferroelettrici di immagine significativi in alcuni materiali ferroelettrici importanti ma abbastanza rari, il PFM può corrente applicarsi ad una grande varietà di materiali compreso i biomateriali ed i conduttori ionici. I beni elettromeccanici Coppia sono inerenti alle centinaia di materiali inorganici (anche centrosymmetric ad un disgaggio macroscopico) e similmente ai materiali biologici. L'evoluzione di PFM fornisce una nuova finestra nel comportamento di una vasta gamma di materiali. Ugualmente importante, gli sviluppi in PFM fa parte di più grande tendenza verso alta risoluzione spaziale estrema nella quantificazione dei beni elettromagnetici. Parecchie classi di beni funzionali ora sono sondate a risoluzione sotto-nanometro. Nella maggior parte dei casi i beni sono rappresentati dai singoli numeri scalari come resistività, la conducibilità, il potenziale di superficie, la densità di carica, Ecc. PFM sono unici in quanto porta questa strategia nel regno dei beni complessi del tensore. Gli avanzamenti Significativi di PFM (possibile ma sconosciuto eppure) sono preveduti nel regno di nuovi materiali e delle unità basati su loro.

Sorgente: NT-MDT Co. 
Autore: Dott. Andrei Kholkin (Università di Aveiro, di Portogallo)

Per ulteriori informazioni su questa sorgente visualizzi prego NT-MDT Co.

Date Added: Sep 13, 2010 | Updated: Jun 11, 2013

Last Update: 14. June 2013 04:16

Comments
  1. Lakshmi Kola Lakshmi Kola India says:

    I am not clear what 71 degree domains and 180 degree domains are. Is the angle related to the phase of the piezoelectric response?

The opinions expressed here are the views of the writer and do not necessarily reflect the views and opinions of AZoNano.com.
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