Улучшающ Толщиные Слои AlN Депозированные через Эпитаксию Пар-Участка Гидрида (HVPE) на Субстратах -Оси 6H-SiC Технологией Плазмы Аппаратур Оксфорда

Покрытые Темы

Предпосылка
Введение
Образование Обычных Гетероструктур AlGaN/GaN
Улучшать Структурные Свойства и Поверхностное Словотолкование Толщиных Слоев AlN

Предпосылка

Технология Плазмы Аппаратур Оксфорда снабубежит ряд высокой эффективности, гибких инструментов полупроводник обрабатывая клиентов, котор включили в научные исследования и разработки, и продукции. Мы специализируем в 3 главных областях:

Введение

Знаны, что будут полупроводники нитрида III-V превосходными выбранными для высокомощной, высокочастотной амплификации силы RF. Основные преимущества нитридов III-V над другими материалами полупроводника запруживают от их больших bandgaps (следовательно их соответствуя больших электрических полей нервного расстройства), превосходной термальной проводимости, хороших свойств перехода электрона, и их возможности для того чтобы сформировать гетероструктуры. По сравнению с другими полупроводниками III-V и даже SiC, эти гетероструктуры нитрида имеют весьма высокие плотности 2DEG которые необходимы для Транзисторов Удобоподвижности наивысшей мощности Высоких Электронных (HEMTs), которые предназначены быть использованным в высокомощных компактных с низким энергопотреблением усилителях передачи для беспроволочных передвижных станций 4G.

Образование Обычных Гетероструктур AlGaN/GaN

Обычная гетероструктура AlGaN/GaN вообще сформирована эпитаксиально депозировать слой AlGaN на толщином слое GaN на semi-изолируя или изолируя субстратах как SiC или сапфир. Самопроизвольно и напрягите наведенные поляризации ведите к высокой положительной поляризации в AlGaN, приводящ к в плоском электронном газе (2DEG) на границе AlGaN/GaN.

Недавно, изучения показывали что представление прибора HEMT значительно улучшено когда обычные гетероструктуры AlGaN/GaN рослись сразу на слое AlN используя субстрат SiC. вводом этих шаблонов AlN, уменьшены вывихивание разбрасывая механизм и выплеск электрона в большое часть и удерживание 2DEG улучшено. Такое применение увеличило требование для более высокомарочного шаблона AlN на SiC для того чтобы увеличить новое представление прибора HEMTs.

Улучшать Структурные Свойства и Поверхностное Словотолкование Толщиных Слоев AlN

На Технологии Плазмы Аппаратур Оксфорда, группа, водить V. Ivantsov V. Soukhoveev, и A. Volkova, недавно оптимизировала процедуру по роста для того чтобы улучшить структурные свойства и поверхностное словотолкование толщиных слоев AlN депозированных через эпитаксию пар-участка гидрида (HVPE) на субстратах -оси 6H-SiC. Используя оптимальные условия нуклеации и роста, группа могл произвести слой с FWHM ~40 arcsec тряся кривого для отражения (0002) измеренного высоким огибанием Рентгеновского Снимка разрешения, (HRXRD) большое улучшение AlN над предыдущими сообщенными результатами ~150 arcsec. Линия ширина очень близко к тому из субстрата SIC, предлагать эпитаксиальный слой AlN имеет замечательн низкую плотность дислокации винта (≤106 cm-2) и малый опрокидывать вокруг нормального к базисной плоскости (см. FIG. 1). Отображать Взаимного космоса несимметричных отражений и измеренные параметры решетки также предлагают польностью relaxed положение эпитаксиального слоя.

Диаграмма 1. Кривые XRD тряся принятые от субстрата SiC и HVPE депозировали слои AlN (симметричные 00,6 и 00,2 отражения, соответственно). Заметьте замечательн низкую разницу между FWHMs субстрата и эпитаксиальным слоем который предлагает высокую структурную завершенность слоя AlN. Действующий сегодня метод также показал радикальное улучшение по сравнению с предыдущими сообщенными данными.

Поверхностное словотолкование слоя AlN более добавочно охарактеризовано Атомной Микроскопией Усилия (AFM). Зеркальноподобная поверхность экспонатов слоя Середина Корня чем 2,5 nm - придайте квадратную форму шершавости (RMS) над зоной µm2 10x10 (см. FIG. 2). Используя предварительный метод, группа могл произвести высокомарочные шаблоны AlN с µm до 20 в толщине при низкий bowing µm 80, делая идеал этих шаблонов для высокообъемной продукции HEMTs.


На Диаграмму 2. Атомные измерения микроскопии усилия над зоной развертки2 µm 10x10 слоя AlN показано ~2 nm RMS в поверхностной шершавости.

Бернард Scanlan, Генеральный Директор Технологии Плазмы Аппаратур Оксфорда, прокомментировало, «Аппаратуры Оксфорда команда Технологии Плазмы непрерывно улучшала наши продукты шаблона HVPE. Мы весьма возбуждены для того чтобы сообщить эти новые результаты и ожидано, что видим большое увеличение в требовании этих продуктов шаблона AlN в самое ближайшее время.»

Источник: Технология Плазмы Аппаратур Оксфорда.

Для больше информации на этом источнике пожалуйста посетите Технологию Плазмы Аппаратур Оксфорда.

Date Added: Oct 27, 2010 | Updated: Sep 24, 2013

Last Update: 24. September 2013 07:10

Ask A Question

Do you have a question you'd like to ask regarding this article?

Leave your feedback
Submit