想像和納諾Maching 使用獵戶星座的 Graphene 加上氦氣離子顯微鏡卡爾蔡司

包括的事宜

背景
當前技術可用為發出答答聲的 Graphene
想像和用機器製造的 Graphene 使用 ORION® 加號從卡爾蔡司
應用
ORION® 加上功能

背景

Graphene 是碳原子唯一基本頁在石墨找到的排列的。 情況它熱力學上是穩定的,因為單層允許其唯一電子輸運性質的開發。 特別是, graphene 二維電子屬性存在它的潛在對功能作為導體、晶體管、數量小點、分子切換,或者其他設備。 層的側向分娩,然而,是關鍵的對造成這些工作情況表示。 也是非常重要在研究這些現象有這個能力根據自頂向下設計控制,仿造在對探測和外銜接的關係完成。

當前技術可用為發出答答聲的 Graphene

當前仿造 graphene 用技術完成例如 STM 或電子束光刻,但是限制結構的可達成的反覆性的這些遭受處理量和程序控制的約束。 所以它是有吸引力的直接地仿造與好控制的必要的結構。 另外,一個完全解決方法也要求高分辨率想像為了安置剪切和驗證結果。

想像和用機器製造的 Graphene 使用 ORION® 加號從卡爾蔡司

ORION® 加上使它成為可能兩個對圖像和設備 graphene 在一無縫的運算。 與其極其表面區分 - 表面想像的一個世界紀錄值在 0.25 毫微米 - 結合的顯微鏡的高分辨率允許小的 graphene 功能想像與唯一單層檢測的。 另外有與氦氣離子束的一個福利因為它可能輕輕地用機器製造 graphene。 低飛濺產量,估計在 0.006 和每個氦氣離子 0.02 碳原子之間,根據範例厚度和基體類型,意味著想像在一個更低的劑量政權可以安全完成,當納諾縮放比例碾碎可以完成在大劑量時。 通過再按乒乓鍵在這兩個模式之間的離子光學配置一個人可能執行整個設備形成進程: 識別興趣範圍,定義用機器製造的幾何,做剪切和檢查結果。

圖 1 展示想像 graphene 的高表面區分和物質刪除的速度控制。 這個圖像顯示在這個範例的很多表面詳細資料。 一 500 毫微米區在此圖像的中心從屬於對氦氣離子大劑量在 38keV 的。 這實現少量的材料刪除從表面。 檢驗顯示地勢如何做艙內甲板,但是,无需重大碾碎成表面。

圖 1. ORION® 加上 graphene 的圖像分層堆積 (沒被確定的厚度) 顯示表面修改。 一種小的離子劑量被應用了於概述的區。 能選擇性地去除一個稀薄的表層。

圖 2 顯示完全突破碾碎的運算。 在這種情況下一種更大的劑量被應用了於 100nm 正方形區,一直到底做一個清潔用機器製造的功能層。 因為沒有飛濺,此種用機器製造對不是可能的 SEM。 它也是傳統鎵小謊管不著,將創建許多個故障,并且也介紹金屬汙染物到功能。 因為飛濺產量是很低的,得到一個高針對噪音的信號圖像在離子劑量二數量級在是可能的要求什麼下去除 graphene - 含義唯一單層想像是非破壞性的對這個範例。 我們由此進程在單層 graphene - 測試二維半導體的屬性的一個需求展示了能力創建 20nm 寬絲帶在此材料。

圖 2. ORION® 加上 graphene 的圖像分層堆積顯示離子碾碎。 小的方形區在這個中心是通過材料完全地用機器製造的 100nm 配件箱。 配件箱的邊緣敏銳展示可以為仿造達到的非常好的可達成的解決方法。

應用

高空間分辨率仿造 graphene 為研究和原型分層堆積在半導體或材料學域。 這是為的毫微米維數設備的創建將陳列新的有用的屬性由於電子分娩。

ORION® 加上功能

對圖像 graphene 的高分辨率和表面區分覆蓋; 能力選擇想像或用機器製造的模式; 非沾染運算。

來源: 「納諾用機器製造在 ORION®PLUS 的 Graphene」卡爾蔡司

關於此來源的更多信息,请請拜訪卡爾蔡司

Date Added: Nov 17, 2010 | Updated: Jun 11, 2013

Last Update: 14. June 2013 03:58

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